[發明專利]發光二極管外延片制備方法

有效

• 申請號: 202110258024.7
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113193087B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 姚振;從穎;董彬忠;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述發光二極管外延片制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長非摻雜GaN層；

在反應腔的溫度為600~800℃的條件下，向所述反應腔通入時長為第一設定時長的氨氣；

在所述非摻雜GaN層上生長n型GaN層；

在所述反應腔的溫度為600~800℃的條件下，向所述反應腔通入時長為第二設定時長的氨氣，所述第一設定時長小于所述第二設定時長，向反應腔通入時長為第一設定時長的氨氣的流量，小于向所述反應腔通入時長為第二設定時長的氨氣的流量，向反應腔通入時長為第一設定時長的氨氣的過程中所述反應腔的溫度，高于向反應腔通入時長為第二設定時長的氨氣的過程中所述反應腔的溫度；

在所述n型GaN層上生長多量子阱層；

在所述多量子阱層上生長p型GaN層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述第一設定時長與所述第二設定時長之比為1:1.5~1:4。

3.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述第一設定時長為15~50s，所述第二設定時長為20~60s。

4.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，向反應腔通入時長為第一設定時長的氨氣的流量，與向所述反應腔通入時長為第二設定時長的氨氣的流量之比為1:1.5~1:3。

5.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述向反應腔通入時長為第一設定時長的氨氣，包括：

向所述反應腔通入時長為第一設定時長，且流量為10~40L的氨氣。

6.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述向反應腔通入時長為第二設定時長的氨氣，包括：

向所述反應腔通入時長為第二設定時長，且流量為15~50L的氨氣。

7.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，向反應腔通入時長為第一設定時長的氨氣的過程中所述反應腔的溫度為700~800℃。