[發(fā)明專(zhuān)利]一種調(diào)整芯片參數(shù)的測(cè)試方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110256152.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113049943A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 夏霜;金善智;曹余新 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R31/28 | 分類(lèi)號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323 | 代理人: | 張靜潔;曹媛 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 調(diào)整 芯片 參數(shù) 測(cè)試 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)整芯片參數(shù)的測(cè)試方法,該方法包括:S1、獲取芯片在測(cè)試時(shí)的芯片參數(shù);S2、判斷所述芯片在測(cè)試時(shí)的芯片參數(shù)是否在設(shè)定范圍之內(nèi),若否,根據(jù)該芯片參數(shù)與芯片可調(diào)整變量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定所述芯片調(diào)整至目標(biāo)值所需的可調(diào)整變量組合;S3、將所述可調(diào)整變量組合賦值給芯片,進(jìn)而使芯片參數(shù)達(dá)到最優(yōu)。根據(jù)測(cè)量到的芯片參數(shù),找到該芯片參數(shù)與可調(diào)整變量之間對(duì)應(yīng)關(guān)系,進(jìn)行二維或多維的動(dòng)態(tài)調(diào)整,達(dá)到最優(yōu)可調(diào)整變量組合,進(jìn)而保證芯片參數(shù)的穩(wěn)定性與平衡性,減小芯片收批次不同的影響。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成芯片測(cè)試領(lǐng)域,具體涉及一種調(diào)整芯片參數(shù)的測(cè)試方法。
背景技術(shù)
受晶圓制造工藝波動(dòng)影響,通常芯片參數(shù)在同批次內(nèi)與各批次間會(huì)有較大差異,影響芯片性能。為使芯片參數(shù)性能達(dá)到產(chǎn)品要求的較小變動(dòng)范圍,需要對(duì)影響芯片參數(shù)的可調(diào)整變量進(jìn)行調(diào)整,實(shí)現(xiàn)芯片性能提高。通常這種調(diào)整是采用調(diào)整一個(gè)變量的方式來(lái)做,較容易實(shí)現(xiàn)。例如需要得到一個(gè)準(zhǔn)確的電流值,可以通過(guò)調(diào)整電阻大小的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。
但是有些芯片參數(shù)同時(shí)受多個(gè)可調(diào)整變量影響,調(diào)整單一的變量可調(diào)整范圍較小,需要同時(shí)調(diào)整多個(gè)參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片參數(shù)的優(yōu)化。
通常芯片測(cè)試時(shí)通過(guò)不斷改變可調(diào)整變量,每一次變化可調(diào)整變量后測(cè)試芯片參數(shù),直到找到最優(yōu)芯片參數(shù)的測(cè)試方法,這種測(cè)試方法時(shí)間長(zhǎng)且不容易找到最優(yōu)的可調(diào)整變量組合。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種調(diào)整芯片參數(shù)的測(cè)試方法,采用二維或多維方式實(shí)現(xiàn)芯片參數(shù)調(diào)整的測(cè)試方法,根據(jù)芯片參數(shù)與可調(diào)整變量之間的相互關(guān)系,找到芯片參數(shù)調(diào)整至目標(biāo)值時(shí)的最優(yōu)可調(diào)整變量組合,該目標(biāo)值為通過(guò)平衡工藝實(shí)際能力與可靠性驗(yàn)證收集到的使芯片保證符合產(chǎn)品規(guī)格書(shū)的參數(shù)。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種調(diào)整芯片參數(shù)的測(cè)試方法,該方法包括:
S1、獲取芯片在測(cè)試時(shí)的芯片參數(shù);
S2、判斷所述芯片在測(cè)試時(shí)的芯片參數(shù)是否在設(shè)定范圍之內(nèi),若否,根據(jù)該芯片參數(shù)與芯片可調(diào)整變量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定所述芯片調(diào)整至目標(biāo)值所需的可調(diào)整變量組合;
S3、將所述可調(diào)整變量組合賦值給芯片。
進(jìn)一步地,所述步驟S3還包括:
在所述可調(diào)整變量組合賦值給芯片之后,重復(fù)步驟S1。
進(jìn)一步地,所述芯片參數(shù)包括電壓、電流和頻率。
進(jìn)一步地,所述芯片參數(shù)與芯片可調(diào)整變量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系具體通過(guò)如下步驟標(biāo)定得到:
采用二維或多維方式實(shí)現(xiàn)芯片參數(shù)調(diào)整的測(cè)試方法;
通過(guò)測(cè)試,收集芯片參數(shù)與芯片可調(diào)整變量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,分析并建立a=f(x,y,z…)的函數(shù),其中,a為芯片參數(shù),x,y,z為芯片均可調(diào)整變量。
進(jìn)一步地,所述x、y和z分別為控制電阻、電容和晶體管值變化。
進(jìn)一步地,用于標(biāo)定對(duì)應(yīng)關(guān)系的芯片與用于測(cè)試的芯片為同一批次的芯片。
進(jìn)一步地,根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系構(gòu)建對(duì)應(yīng)關(guān)系表,通過(guò)查找所述對(duì)應(yīng)關(guān)系表可查出對(duì)應(yīng)的可調(diào)整變量組合。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn)之一:
根據(jù)測(cè)量到的芯片參數(shù),找到該芯片參數(shù)與可調(diào)整變量之間對(duì)應(yīng)關(guān)系,進(jìn)行二維或多維的動(dòng)態(tài)調(diào)整,達(dá)到最優(yōu)可調(diào)整變量組合,進(jìn)而保證芯片參數(shù)的穩(wěn)定性與平衡性,減小芯片收批次不同的影響。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中調(diào)整芯片參數(shù)的測(cè)試方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線(xiàn)路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線(xiàn)或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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