[發(fā)明專利]一種微LED顯示面板及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110255304.2 | 申請日： | 2021-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN113035899A | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋泳錫;李禹奉 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15;H01L33/00;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李澤彥 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本申請實施例公開一種微LED顯示面板及其制備方法。在一具體實施方式中，該方法包括形成驅(qū)動電路層；形成第一陽極、第二陽極和第三陽極；在第一陽極上依次沉積形成第一P型GaN層、第一InGaN層、第一N型GaN層和第一透明電極；在第二陽極上依次沉積形成第二P型GaN層、第二InGaN層或第一InAlGaP層、第二N型GaN層和第二透明電極；在第三陽極上依次沉積形成第三P型GaN層、第二InAlGaP層、第三N型GaN層和第三透明電極；形成像素界定層；形成陰極。該實施方式可避免現(xiàn)有技術(shù)中的制備微LED所需的高溫蒸鍍手段，還可提高微LED顯示面板的制作良品率，提高微LED顯示面板的品質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種微LED顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
Micro-LED Display(微型發(fā)光二極管顯示器)由于其具有超高像素、超高解析度、高亮度、低功耗、材料性能穩(wěn)定、壽命長和無影像烙印等優(yōu)勢，其性能遠高于現(xiàn)有的LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)，因此廣泛用于在微投影、透明顯示器、抬頭顯示器等領(lǐng)域。
通常Micro-LED或QNED等制成的顯示器都是將在藍寶石基板上制成的納米級彩色LED(發(fā)光二極管)100切割成微米級尺寸，隨后在玻璃基板或者PI(Polyimide，聚酰亞胺)等基板110形成的有源驅(qū)動(Active Matrix)像素上，通過轉(zhuǎn)印(transfer)的方式制作而成，如圖1所示?，F(xiàn)有技術(shù)的制備方法為形成發(fā)光二極管(diode)，需要進行高溫蒸鍍，為此需要使用藍寶石基板，從而增加制作成本；再者，通常大面積、高分辨率的顯示器中各像素以1:1(Micro-LED)或1對多(5-50個，QNED)對應(yīng)LED，因此，需要在數(shù)千萬個像素上轉(zhuǎn)印數(shù)千萬個LED，這種將巨量的LED轉(zhuǎn)印到像素的工藝會以極端的比例發(fā)生生產(chǎn)良率下降的問題，進而進一步提高制造成本。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的目的在于提供一種微LED顯示面板及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題中的至少一個。
為達到上述目的，本申請采用下述技術(shù)方案：
本申請第一方面提供一種微LED顯示面板的制備方法，包括
在襯底上形成驅(qū)動電路層，包括薄膜晶體管；
在所述驅(qū)動電路層上形成由對應(yīng)的薄膜晶體管電連接的第一陽極、第二陽極和第三陽極；
在所述第一陽極上依次沉積形成第一P型GaN層、第一InGaN層、第一N型GaN層和第一透明電極，從而形成藍色子像素區(qū)域；
在所述第二陽極上依次沉積形成第二P型GaN層、第二InGaN層或第一InAlGaP層、第二N型GaN層和第二透明電極，從而形成綠色子像素區(qū)域；
在所述第三陽極上依次沉積形成第三P型GaN層、第二InAlGaP層、第三N型GaN層和第三透明電極，從而形成紅色子像素區(qū)域；
形成圍繞所述子像素區(qū)域的像素界定層；
形成陰極，覆蓋所述子像素區(qū)域。
本申請第一方面所提供的微LED顯示面板通過在襯底上直接蒸鍍形成無機發(fā)光二極管(即包括P型GaN層、InGaN層或InAlGaP層、N型GaN層)，以形成全彩發(fā)光的微LED顯示面板，從而可避免現(xiàn)有技術(shù)中需要將巨量的LED芯片轉(zhuǎn)印至像素上的工藝，防止LED芯片轉(zhuǎn)印過程中良率下降的問題，有效提高微LED顯示面板的制作成品率，提升微LED顯示面板的品質(zhì)，節(jié)省微LED顯示面板的制作成本。
在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一、第二和第三P型GaN層由富鎵型GaN薄膜形成；所述第一、第二和第三N型GaN層由富氮型GaN薄膜形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
