[發(fā)明專利]一種微LED顯示面板及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110255304.2 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113035899A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋泳錫;李禹奉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/15 | 分類號(hào)： | H01L27/15;H01L33/00;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李澤彥 |
| 地址： | 100015 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種微LED顯示面板的制備方法，其特征在于，包括
在襯底上形成驅(qū)動(dòng)電路層，包括薄膜晶體管；
在所述驅(qū)動(dòng)電路層上形成由對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電連接的第一陽(yáng)極、第二陽(yáng)極和第三陽(yáng)極；
在所述第一陽(yáng)極上依次沉積形成第一P型GaN層、第一InGaN層、第一N型GaN層和第一透明電極，從而形成藍(lán)色子像素區(qū)域；
在所述第二陽(yáng)極上依次沉積形成第二P型GaN層、第二InGaN層或第一InAlGaP層、第二N型GaN層和第二透明電極，從而形成綠色子像素區(qū)域；
在所述第三陽(yáng)極上依次沉積形成第三P型GaN層、第二InAlGaP層、第三N型GaN層和第三透明電極，從而形成紅色子像素區(qū)域；
形成圍繞所述子像素區(qū)域的像素界定層；
形成陰極，覆蓋所述子像素區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一、第二和第三P型GaN層由富鎵型GaN薄膜形成；
所述第一、第二和第三N型GaN層由富氮型GaN薄膜形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一InGaN層為富鎵型InGaN薄膜形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二InGaN層為富氮型InGaN薄膜形成；
所述第一InAlGaP層為富磷型InAlGaP薄膜形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二InAlGaP層為富鎵型InAlGaP薄膜形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，
形成所述第一、第二或第三P型GaN層，包括：
S100、采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在氮?dú)猸h(huán)境中沉積烷基鎵至第一預(yù)設(shè)厚度；
S101、采用等離子體處理，去除CH4、NH3，從而形成GaN；以及
S102、重復(fù)S100～S101，直到形成的GaN層達(dá)到總預(yù)設(shè)厚度；
或者
S105、采用原子層沉積工藝交替沉積烷基鎵和氮?dú)猓钡叫纬傻腉aN層達(dá)到總預(yù)設(shè)厚度，
形成所述第一、第二或第三N型GaN層，包括：
S110、采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在氮?dú)猸h(huán)境中沉積烷基鎵至第一預(yù)設(shè)厚度；
S111、采用等離子體處理，去除CH4、NH3，從而形成GaN；以及
S112、重復(fù)S110～S111，直到形成的GaN層達(dá)到總預(yù)設(shè)厚度；
或者
S115、采用原子層沉積工藝交替沉積烷基鎵和氮?dú)猓钡叫纬傻腉aN層達(dá)到總預(yù)設(shè)厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，
形成所述富鎵型GaN薄膜和形成所述富氮型GaN薄膜是通過(guò)對(duì)烷基鎵和氮?dú)庠O(shè)置不同比率實(shí)現(xiàn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，
形成所述第一InGaN層，包括：
S120、采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在氮?dú)猸h(huán)境中沉積烷基鎵和烷基銦至第一預(yù)設(shè)厚度；
S121、采用等離子處理，去除CH4、NH3，從而形成InGaN；以及
S122、重復(fù)S120～S121，直到形成的InGaN層達(dá)到總預(yù)設(shè)厚度；
或者
S125、采用原子層沉積工藝交替沉積烷基鎵、氮?dú)狻⑼榛熀偷獨(dú)猓钡叫纬傻腎nGaN層達(dá)到總預(yù)設(shè)厚度；
或者
S125’、采用原子層沉積工藝交替沉積第一材料和第二材料，直到形成的InGaN層達(dá)到總預(yù)設(shè)厚度，其中
第一材料為烷基鎵和氮?dú)猓诙牧蠟橥榛熀偷獨(dú)猓蛘?/p>
第一材料為烷基鎵和烷基銦，第二材料為氮?dú)狻?/p>
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
