[發明專利]半導體制造系統、襯底位移組合件和處理半導體襯底方法

在審

• 申請號: 202110254978.0
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113113344A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 廖崇憲;謝錦升
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/677;C23C16/458
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發明實施例是有關于一種半導體制造系統、一種襯底位移組合件和一種處理半導體襯底方法。公開一種襯底位移組合件以在半導體處理期間提高襯底位移組合件的耐用性。在一個實施例中，一種半導體制造系統包括：襯底支撐件，其中襯底支撐件被配置成具有多個銷；以及襯底位移組合件，用于通過所述多個銷在與襯底支撐件的頂表面垂直的第一方向上對襯底支撐件上的襯底進行位移，其中襯底位移組合件包括一對裝載叉、耦合件及驅動軸，其中所述一對裝載叉包括叉區及基座區，其中耦合件通過在第一方向上延伸的至少一個第一接合螺釘以機械方式耦合到基座區，其中耦合件還通過在第一方向上延伸的第二接合螺釘以機械方式耦合到驅動軸。

技術領域

本發明實施例是有關于一種半導體制造系統、對襯底支撐件上的襯底進行位移的襯底位移組合件和一種處理半導體襯底的方法。

背景技術

在半導體集成電路(integrated circuit，IC)行業中，不斷要求器件尺寸越小且電路包裝密度(circuit packing density)越高。此要求推動半導體行業開發新材料及復雜的工藝。舉例來說，當將在晶片上形成特征(例如，晶體管的柵極/漏極/源極特征、水平內連線或垂直通孔等)時，晶片通常經過包括多個處理站的機構(mechanism)，這些處理站通常使用不同的工藝工具來實行各種操作，例如(舉例來說)清潔、光刻、介電質沉積、干式刻蝕/濕式刻蝕及金屬沉積。然而，在處理站中用于提升及移動襯底的機構經常面臨影響制造良率的頻繁機械故障。因此，現有機構并不完全令人滿意。

發明內容

本發明實施例提供一種半導體制造系統包括：襯底支撐件，其中所述襯底支撐件被配置成具有多個銷；以及襯底位移組合件，用于通過所述多個銷在與所述襯底支撐件的頂表面垂直的第一方向上對所述襯底支撐件上的襯底進行位移，其中所述襯底位移組合件包括一對裝載叉、耦合件及驅動軸，其中所述一對裝載叉包括叉區及基座區，其中所述耦合件通過在所述第一方向上延伸的至少一個第一接合螺釘以機械方式耦合到所述基座區，其中所述耦合件還通過在所述第一方向上延伸的第二接合螺釘以機械方式耦合到所述驅動軸。

本發明實施例提供一種對襯底支撐件上的襯底進行位移的襯底位移組合件包括：一對裝載叉，其中所述一對裝載叉包括叉區及基座區；耦合件，其中所述耦合件包括凸緣區及管道區，其中所述耦合件通過在第一方向上延伸的至少一個第一接合螺釘以機械方式耦合到所述基座區；以及驅動軸，其中所述驅動軸通過在所述第一方向上延伸的第二接合螺釘以機械方式耦合到所述耦合件。

本發明實施例提供一種處理半導體襯底的方法：組裝襯底位移組合件；使用所述襯底位移組合件在第一方向上對襯底進行位移；以及對所述襯底實行半導體制造工藝，其中所述襯底位移組合件包括一對裝載叉、耦合件及驅動軸，其中所述一對裝載叉包括叉區及基座區，其中所述耦合件包括凸緣區及管道區，其中所述耦合件通過在第一方向上延伸的至少一個第一接合螺釘以機械方式耦合到所述基座區；且其中所述驅動軸通過在所述第一方向上延伸的第二接合螺釘以機械方式耦合到所述耦合件。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，能最好地理解本公開的各方面。應注意，各種特征未必按比例繪制。事實上，為說明的清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸及幾何形狀。

圖1A說明根據本公開一些實施例的半導體處理系統的示例性方塊圖(blockdiagram)。

圖1B說明根據本公開一些實施例的局部計算機(local computer)的示例性方塊圖，所述局部計算機可用于實施本文中所述的方法。

圖2A說明根據本公開一些實施例的示例性半導體處理系統。

圖2B到圖2C說明根據本公開一些實施例的襯底位移組合件(或稱總成(assembly))的示例性立體圖及側視圖。

圖3A到圖3B說明根據本公開一些實施例的耦合件的示例性立體圖、俯視圖及側視圖。