[發(fā)明專利]一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110254573.7
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號(hào): CN113008622B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張孝山;汪成洋;陳斌;宗冰
• 申請（專利權(quán)）人: 亞洲硅業(yè)（青海）股份有限公司;青海省亞硅硅材料工程技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01N1/10
• 分類號(hào): G01N1/10
• 代理公司: 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 張巨箭

1.一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，包括區(qū)熔爐（1）和在區(qū)熔爐（1）內(nèi)部從上到下依次設(shè)置的籽晶夾持器（2）、加熱線圈（3）、顆粒硅容納裝置，其特征在于：

所述顆粒硅容納裝置包括多組不同口徑的容納管（4），用于容納不同尺寸的顆粒硅（41），所述容納管（4）為高純硅管，所述顆粒硅（41）的尺寸與對應(yīng)容納管（4）的口徑匹配；所述顆粒硅（41）在容納管（4）中豎直成一排排列；所述籽晶夾持器（2）固定在可移動(dòng)上軸（7）上；所述籽晶夾持器（2）上夾持有籽晶（8）；

所述容納管（4）具有上端口，所述上端口位于所述加熱線圈（3）下方，所述容納管（4）的底端連接有氬氣管道（6）；

所述氬氣管道（6）將向所述容納管（4）中通入氬氣將顆粒硅（41）吹至籽晶下方，讓顆粒硅（41）一顆一顆逐個(gè)粘連至籽晶制成檢測樣棒，并從下至上在檢測樣棒的8cm處切下一個(gè)切片，得到檢測樣本。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，其特征在于：所述區(qū)熔爐上設(shè)置有氬氣管道（6），該氬氣管道（6）用于對區(qū)熔爐（1）內(nèi)部進(jìn)行保護(hù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，其特征在于：所述區(qū)熔爐（1）為磷檢爐，所述籽晶（8）為方形或圓柱體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，其特征在于：所述加熱線圈（3）為高頻感應(yīng)線圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，其特征在于：所述氬氣管道（6）上設(shè)有控制閥（9）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，其特征在于：所述裝置還包括控制柜（10），所述控制柜（10）與所述控制閥（9）連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，其特征在于：所述容納管（4）設(shè)置在容納管驅(qū)動(dòng)裝置（5）上，所述控制柜（10）與所述容納管驅(qū)動(dòng)裝置（5）連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種顆粒硅區(qū)熔檢測采樣裝置，其特征在于：所述控制閥（9）為脈沖電磁閥。