[發(fā)明專(zhuān)利]一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110254573.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113008622B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張孝山;汪成洋;陳斌;宗冰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 亞洲硅業(yè)（青海）股份有限公司;青海省亞硅硅材料工程技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N1/10
• 分類(lèi)號(hào): G01N1/10
• 代理公司: 成都華風(fēng)專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 張巨箭

本發(fā)明屬于顆粒硅生產(chǎn)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，該裝置包括區(qū)熔爐(1)和在區(qū)熔爐(1)內(nèi)部從上到下依次設(shè)置的籽晶夾持器(2)、加熱線圈(3)、顆粒硅容納裝置，顆粒硅容納裝置包括多組不同口徑的容納管(4)用于容納不同尺寸的顆粒硅(41)，所述顆粒硅(41)的尺寸與對(duì)應(yīng)容納管(4)的口徑匹配，所述容納管(4)為高純硅管，用于容納顆粒硅(41)；所述容納管(4)具有上端口，所述上端口位于所述加熱線圈(3)下方，所述容納管(4)的底端連接有氬氣管道(6)，本發(fā)明將顆粒硅置于高純硅管中，避免顆粒硅受其他設(shè)備等帶來(lái)雜質(zhì)的影響，同時(shí)設(shè)計(jì)多組不同口徑的容納管(4)實(shí)現(xiàn)不同尺寸顆粒硅的檢測(cè)采樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顆粒硅生產(chǎn)領(lǐng)域，特別涉及一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置。

背景技術(shù)

隨著世界能源危機(jī)的日益嚴(yán)重，綠色能源、能源多元化、可再生能源的利用成了我國(guó)可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略選擇，其中太陽(yáng)能光伏發(fā)電成了當(dāng)前電力科技者研發(fā)的熱門(mén)課題之一。顆粒硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料，顆粒硅純度越高，電子性能越好，相應(yīng)光電轉(zhuǎn)換率提高。

多晶硅是微電子行業(yè)和光伏行業(yè)的基礎(chǔ)材料，傳統(tǒng)生產(chǎn)高純多晶硅的方法有西門(mén)子法和流化床法。當(dāng)下主流的多晶硅的檢測(cè)方法主要是在CVD還原生產(chǎn)的多晶硅棒上取樣制成小棒狀，再將小棒狀料經(jīng)過(guò)區(qū)熔爐二次晶體生長(zhǎng)成單晶后，再取樣檢測(cè)純度以及雜質(zhì)含量，進(jìn)而判定多晶硅的品質(zhì)。流化床法生產(chǎn)顆粒狀多晶硅通常是將高純粒狀硅做“種子”，在流化床反應(yīng)器內(nèi)形成流化狀態(tài)，再引入高純含硅氣體在加熱的流化種子上反應(yīng)沉積，從而使得高純硅種子越長(zhǎng)越大，得到顆粒狀的多晶硅。

流化床法得到的顆粒狀多晶硅品質(zhì)的好壞需要進(jìn)行制樣二次晶體生長(zhǎng)成單晶再檢測(cè)，因此首先將顆粒硅制作成小棒狀，再二次晶體生長(zhǎng)成單晶后進(jìn)行相關(guān)品質(zhì)檢測(cè)。目前將顆粒硅制作成小棒狀方法主要是利用石英試管或坩堝將顆粒硅熔化然后再結(jié)晶成小棒狀。此過(guò)程存在二次污染情況，這就影響判斷顆粒硅質(zhì)量的準(zhǔn)確性，且無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)不同尺寸顆粒硅的檢測(cè)采樣。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要提供一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，能夠解決現(xiàn)有采樣裝置中顆粒硅容易受其他設(shè)備等帶來(lái)雜質(zhì)的影響，導(dǎo)致檢測(cè)的顆粒硅數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確的問(wèn)題，同時(shí)實(shí)現(xiàn)不同尺寸顆粒硅的檢測(cè)采樣。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，該裝置包括區(qū)熔爐1和在區(qū)熔爐1內(nèi)部從上到下依次設(shè)置的籽晶夾持器2、加熱線圈3、顆粒硅容納裝置，所述顆粒硅容納裝置包括多組不同口徑的容納管4，用于容納不同尺寸的顆粒硅41，所述容納管4為高純硅管，所述顆粒硅41的尺寸與對(duì)應(yīng)容納管4的口徑匹配；

所述容納管4具有上端口，所述上端口位于所述加熱線圈3下方，所述容納管4的底端連接有氬氣管道6。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述區(qū)熔爐1上設(shè)置有氬氣管道6。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述籽晶夾持器2固定在可移動(dòng)上軸7上。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述籽晶夾持器6上夾持有籽晶8。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述區(qū)熔爐1為磷檢爐，所述籽晶8為方形或圓柱體。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述加熱線圈3為高頻感應(yīng)線圈。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述氬氣管道6上設(shè)有控制閥9。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述裝置還包括控制柜10，所述控制柜10與所述控制閥9連接。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述容納管4設(shè)置在容納管驅(qū)動(dòng)裝置5上，所述控制柜10與所述容納管驅(qū)動(dòng)裝置5連接。

優(yōu)選地，一種顆粒硅區(qū)熔檢測(cè)采樣裝置，所述控制閥9為脈沖電磁閥。