[發(fā)明專利]微發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110252031.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113066812B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁紹瀅;范俊峰;李佳恩;徐宸科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/56;H01L33/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

微發(fā)光元件，包括轉(zhuǎn)移材料層、微發(fā)光二極管，轉(zhuǎn)移材料層至少覆蓋微發(fā)光二極管的頂面或側(cè)面，轉(zhuǎn)移材料層至少分為轉(zhuǎn)移狀態(tài)和穩(wěn)定狀態(tài)；在轉(zhuǎn)移狀態(tài)下，轉(zhuǎn)移材料層為柔性材料；在穩(wěn)定狀態(tài)下，微發(fā)光二極管設(shè)置在轉(zhuǎn)移材料層的凹槽中，凹槽的深度為0.1~5μm，轉(zhuǎn)移材料層向微發(fā)光二極管提供夾持力，解決微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移過(guò)程中容易松動(dòng)或脫落的問(wèn)題，提高微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移的良率，特別是大量轉(zhuǎn)移的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微發(fā)光裝置領(lǐng)域，具體涉及微發(fā)光元件。

背景技術(shù)

在RGB?LED?Display陣列MLED（微發(fā)光二極管）結(jié)構(gòu)中，一方面，利用轉(zhuǎn)移材料固化或者半固化狀態(tài)下的粘性（例如范德瓦力、磁性力）進(jìn)行轉(zhuǎn)移，容易因?yàn)檗D(zhuǎn)移力不足，而MLED的轉(zhuǎn)移良率低。

另一方面，由于MLED間距比較接近，每顆MLED由于發(fā)散角度的關(guān)系，彼此間會(huì)發(fā)光區(qū)有重迭部分，會(huì)產(chǎn)生CROSS?TALK光干涉現(xiàn)象，即不同色之MLED會(huì)互相干擾，因而造成顏色誤差與顏色不均的現(xiàn)象，而例如：CN1378291A傳統(tǒng)的常規(guī)尺寸LED側(cè)壁遮擋方法不易在MLED工藝中應(yīng)用，不利于大規(guī)模量產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決背景技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種微發(fā)光元件，包括轉(zhuǎn)移材料層、微發(fā)光二極管，轉(zhuǎn)移材料層至少覆蓋微發(fā)光二極管的頂面或側(cè)面，轉(zhuǎn)移材料層至少分為轉(zhuǎn)移狀態(tài)和穩(wěn)定狀態(tài)；

在轉(zhuǎn)移狀態(tài)下，轉(zhuǎn)移材料層為柔性材料；

在穩(wěn)定狀態(tài)下，微發(fā)光二極管設(shè)置在轉(zhuǎn)移材料層的凹槽中，凹槽的深度為0.1~5μm。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，轉(zhuǎn)移材料層材料包括BCB膠、硅膠或者環(huán)氧樹(shù)脂。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，凹槽具有柔性轉(zhuǎn)移材料層受擠壓產(chǎn)生的圓滑的內(nèi)陷開(kāi)口。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，凹槽的深度為0.5~1.5μm。

在一些實(shí)施例中，微發(fā)光元件還包括位于轉(zhuǎn)移材料層遠(yuǎn)離微發(fā)光二極管一側(cè)的犧牲層。

根據(jù)一些實(shí)施例，優(yōu)選的，犧牲層在遠(yuǎn)離轉(zhuǎn)移材料層的一側(cè)包括透光或者不透光的支架。

根據(jù)一些實(shí)施例，優(yōu)選的，犧牲層材料包括GaN、AlGaN、?InGaN、GaSiN、GaMgN中一種或任意種組合，這些犧牲層材料容易通過(guò)激光去除。

在另一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移材料層采用不透光材料，不透光材料至少包括反射材料或者吸光材料，通過(guò)不透光材料的形狀或者構(gòu)造設(shè)定出光角度。

根據(jù)另一些實(shí)施例，優(yōu)選的，微發(fā)光二極管頂面對(duì)應(yīng)位置的轉(zhuǎn)移材料層具有出光孔洞，實(shí)創(chuàng)造頂面出光或者頂面電連接的條件。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，微發(fā)光二極管可以依據(jù)微發(fā)光元件構(gòu)造和出光需求選擇為正裝微發(fā)光二極管、倒裝微發(fā)光二極管或者垂直微發(fā)光二極管。

為滿足一些光應(yīng)用需求，本發(fā)明還提供了一種微發(fā)光元件陣列，微發(fā)光元件陣列包括轉(zhuǎn)移材料層和若干個(gè)微發(fā)光二極管，轉(zhuǎn)移材料層至少覆蓋微發(fā)光二極管的頂面或側(cè)面，轉(zhuǎn)移材料層至少具有轉(zhuǎn)移狀態(tài)和穩(wěn)定狀態(tài)；

在轉(zhuǎn)移狀態(tài)下，轉(zhuǎn)移材料層為柔性材料；

在穩(wěn)定狀態(tài)下，微發(fā)光二極管設(shè)置在轉(zhuǎn)移材料層的凹槽中，凹槽的深度為0.1~5μm。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，轉(zhuǎn)移材料層材料包括BCB膠、硅膠或者環(huán)氧樹(shù)脂。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，凹槽具有柔性轉(zhuǎn)移材料層受擠壓產(chǎn)生的圓滑的內(nèi)陷開(kāi)口。

根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，凹槽的深度為0.5~1.5μm。

在一些實(shí)施例中，微發(fā)光元件陣列還包括位于轉(zhuǎn)移材料層遠(yuǎn)離微發(fā)光二極管一側(cè)的犧牲層。