[發明專利]微發光元件有效
| 申請號: | 202110252031.6 | 申請日: | 2017-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN113066812B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發明(設計)人: | 丁紹瀅;范俊峰;李佳恩;徐宸科 | 申請(專利權)人: | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/56;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361009 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 | ||
1.微發光元件,包括不透光材料和位于不透光材料之間的若干個微發光二極管,微發光二極管包括側面、相對設置的底面和頂面,其特征在于:單個微發光二極管至少兩個相對的側面覆蓋有不透光材料,頂面對應位置的不透光材料具有出光孔洞,微發光二極管從出光孔洞出光,不透光材料至少包括反射材料或者吸光材料,不透光材料在不同條件下呈現不同的物理狀態,不透光材料包括柔性狀態和穩定狀態,穩定狀態時,不透光材料對微發光二極管具有夾緊力。
2.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:不透光材料包括BCB膠、硅膠或者紫外固化膠。
3.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:微發光二極管為正裝微發光二極管、倒裝微發光二極管或者垂直微發光二極管。
4.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:在微發光二極管一側具有與微發光二極管鍵合的鍵合基板。
5.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:微發光二極管包括紅光發光二極管、藍光發光二極管、綠光發光二極管或其任意組合,用以滿足各種光元素的組合。
6.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:不透光材料在加熱狀態下轉換成柔性半固化材料。
7.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:出光孔洞為反射罩狀。
8.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:不透光材料從側面對微發光二極管施加夾持力。
9.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:出光孔洞貫穿不透光材料。
10.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:微發光二極管從出光孔洞出光。
11.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:還包括整面設置在頂面上方的透光層。
12.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:還包括同時為所有微發光二極管提供支撐的透光支架。
13.根據權利要求12所述的微發光元件,其特征在于:透光層位于透光支架和微發二極管之間,透光支架通過透光層為微發光二極管提供支撐。
14.根據權利要求13所述的微發光元件,其特征在于:透光支架通過透光層的化學分解或者物理分離,與微發光二極管分離。
15.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:不透光材料具有上表面和下表面,微發光元件的鍵合面低于不透光材料的下表面。
16.根據權利要求1所述的微發光元件,其特征在于:還包括用于與鍵合基板共晶的電極,電極從不透光材料中突出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





