[發明專利]集成芯片

在審

• 申請號: 202110251396.7
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN113206063A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 游力蓁;黃麟淯;莊正吉;林佑明;王志豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

在一些實施例中，本公開涉及一種集成芯片。前述集成芯片包括：基板及位于基板的上層的柵極電極。再者，前述集成芯片包括位于基板的上層且借由間隔物結構與柵極電極橫向地間隔開的接觸層。間隔物結構可圍繞柵極電極的最外側側壁。硬遮罩結構可布置在柵極電極之上，且介于間隔物結構的多個部分之間。接觸導孔延伸穿過硬遮罩結構，且接觸柵極電極。前述集成芯片可進一步包括直接布置在介于硬遮罩結構及間隔物結構之間的襯層，其中襯層與柵極電極間隔開。

技術領域

本發明實施例涉及集成芯片，特別是涉及能夠提升接觸導孔的接觸面積及制程裕度的集成芯片。

背景技術

在過去的幾十年中，集成芯片制造產業經歷指數級成長。隨著集成芯片的發展，功能密度(例如，每芯片面積的半導體裝置的數量)已經增加，同時部件尺寸已經減小。隨著部件尺寸的減小，在部件之中的干擾增加。為了減輕半導體裝置的部件之中的干擾，正在研究用于IC中的隔離的制造技術及/或部件。

發明內容

一實施例是關于一種集成芯片，其包括：基板、柵極電極、接觸層、間隔物結構、硬遮罩結構、接觸導孔及襯層。柵極電極位于基板的上層(overlying)。接觸層位于基板的上層，且與柵極電極橫向地間隔開(laterally spaced)。間隔物結構圍繞柵極電極的多個最外側側壁，且使柵極電極與接觸層分隔開(separating)。硬遮罩結構布置在柵極電極之上，且介于間隔物結構的多個部分之間。接觸導孔延伸穿過硬遮罩結構，且接觸柵極電極。襯層直接布置在介于硬遮罩結構及間隔物結構之間。其中，襯層與柵極電極間隔開。

另一實施例是關于一種集成芯片，其包括：基板、接觸層、柵極電極、硬遮罩結構、接觸導孔、間隔物結構及襯層?；灏ㄔ礃O/漏極區域。接觸層布置在源極/漏極區域之上。柵極電極布置在基板之上，且與接觸層橫向地間隔開。硬遮罩結構布置在柵極電極之上。接觸導孔延伸穿過硬遮罩結構，且接觸導孔布置在柵極電極的頂表面之上，且與柵極電極的頂表面直接接觸。間隔物結構直接布置在介于柵極電極及接觸層之間。襯層接觸間隔物結構的多個內側壁。其中，襯層包括具有相較于間隔物結構的材料更高的介電常數的材料。

又一實施例是關于一種集成芯片的形成方法，其包括：形成柵極電極在基板之上。其中，間隔物結構圍繞柵極電極的最外側側壁。形成犧牲層于柵極電極的頂表面之上。形成連續的(continuous)襯層在間隔物結構的多個頂表面及多個內側壁之上。其中，連續襯層借由犧牲層與柵極電極間隔開。執行第一移除制程，以選擇性地(selectively)移除犧牲層。沉積硬遮罩材料于柵極電極之上。移除硬遮罩材料及連續襯層的一部分，以形成分隔開的硬遮罩結構及位于柵極電極之上的襯層。形成第一遮罩結構于硬遮罩結構之上，前述第一遮罩結構包含直接在柵極電極上層的第一開口。執行第一蝕刻制程，以移除在第一開口下層的硬遮罩結構的一部分，以暴露柵極電極的頂表面。形成接觸導孔在柵極電極的頂表面之上，且接觸導孔直接接觸柵極電極的頂表面。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合所附圖式閱讀，能夠最好的理解本公開的所有態樣。應注意的是，根據本產業的標準作業，各種部件并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小各種部件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1A至圖1C顯示出集成芯片的一些實施例的各種視圖，前述集成芯片包括布置在間隔物結構及接觸導孔之間且布置在柵極電極之上的襯層。

圖2顯示出集成芯片的一些其他實施例的剖面圖，前述集成芯片包括布置在間隔物結構及接觸導孔之間且布置在柵極電極之上的襯層。

圖3顯示出集成芯片的一些實施例的剖面圖，前述集成芯片包括布置在間隔物結構及接觸導孔之間且布置在接觸層之上的襯層。

圖4A顯示出集成芯片的一些其他實施例的剖面圖，前述集成芯片包括布置在間隔物結構及接觸導孔之間且布置在柵極電極之上的襯層，其中接觸導孔實質上在柵極電極的中心之上(centered over)。