[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110251076.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN114203713A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加藤久詞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/1157
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備：

襯底，包含第1區(qū)域、第2區(qū)域及多個(gè)塊區(qū)域，且所述第1區(qū)域及所述第2區(qū)域在第1方向上排列配置，所述多個(gè)塊區(qū)域各自在所述第1方向上延伸設(shè)置，所述多個(gè)塊區(qū)域在與所述第1方向交叉的第2方向上排列配置；

多個(gè)導(dǎo)電體層，在所述多個(gè)塊區(qū)域的每一個(gè)中均被分?jǐn)啵龆鄠€(gè)導(dǎo)電體層在分別與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上排列并且彼此分開設(shè)置，所述多個(gè)導(dǎo)電體層具有多個(gè)階臺(tái)部分，所述多個(gè)階臺(tái)部分在所述第2區(qū)域與所述多個(gè)塊區(qū)域重疊的各區(qū)域中分別設(shè)置成不與上層的導(dǎo)電體層重疊；

多個(gè)柱，設(shè)置在所述多個(gè)塊區(qū)域的每一個(gè)中，所述多個(gè)柱各自貫通所述多個(gè)導(dǎo)電體層，所述柱與所述導(dǎo)電體層相交叉的部分作為存儲(chǔ)胞發(fā)揮功能；以及

多個(gè)接點(diǎn)，在所述多個(gè)塊區(qū)域的每一個(gè)中，分別設(shè)置在所述多個(gè)階臺(tái)部分之上；且

所述第2區(qū)域包含在所述第1方向上排列的第1子區(qū)域及第2子區(qū)域，

所述第1子區(qū)域包含第1階梯構(gòu)造，所述第1階梯構(gòu)造包含以下構(gòu)造，即，所述多個(gè)階臺(tái)部分所包含的多個(gè)第1階臺(tái)部分在沿著所述第1方向并且朝向所述第1區(qū)域的方向上升級(jí)或降級(jí)，

所述第2子區(qū)域包含第2階梯構(gòu)造與第1圖案，所述第2階梯構(gòu)造包含以下構(gòu)造，即，所述多個(gè)階臺(tái)部分所包含的多個(gè)第2階臺(tái)部分在沿著所述第1方向并且遠(yuǎn)離所述第1區(qū)域的方向上升級(jí)或降級(jí)，所述第1圖案與所述多個(gè)導(dǎo)電體層中的任一個(gè)連續(xù)設(shè)置，

所述第1圖案配置在所述第1階梯構(gòu)造與所述第2階梯構(gòu)造之間，至少1個(gè)接點(diǎn)配置在與所述第1圖案連續(xù)設(shè)置的導(dǎo)電體層的階臺(tái)部分和所述第1圖案之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第1階梯構(gòu)造配置在比所述第2階梯構(gòu)造更靠上之層，

所述第1圖案與所述多個(gè)導(dǎo)電體層中形成所述第2階梯構(gòu)造的多個(gè)導(dǎo)電體層中的任一個(gè)連續(xù)設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第1子區(qū)域包含第2圖案，所述第2圖案與所述多個(gè)導(dǎo)電體層中形成所述第1階梯構(gòu)造的多個(gè)導(dǎo)電體層中的任一個(gè)連續(xù)設(shè)置，

至少1個(gè)接點(diǎn)配置在與所述第2圖案連續(xù)設(shè)置的導(dǎo)電體層的階臺(tái)部分和所述第2圖案之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中形成在所述第1圖案與所述第2圖案之間的階差的高度高于所述第2階梯構(gòu)造的高度，所述階差與所述第1圖案及所述第2圖案兩者相分離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第1圖案與形成所述第2階梯構(gòu)造的多個(gè)導(dǎo)電體層中配置在最下層導(dǎo)電體層旁邊的導(dǎo)電體層連續(xù)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第1圖案的所述第1方向的寬度是所述階臺(tái)部分的所述第1方向的寬度的2倍以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第1子區(qū)域及所述第2子區(qū)域被相鄰的2個(gè)塊區(qū)域的交界部分分?jǐn)唷?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述相鄰的2個(gè)塊區(qū)域中的一個(gè)所包含的所述第1子區(qū)域及所述第2子區(qū)域的部分，與所述相鄰的2個(gè)塊區(qū)域中的另一個(gè)所包含的所述第1子區(qū)域及所述第2子區(qū)域的部分具有在所述第2方向上對(duì)稱的構(gòu)造。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第1階梯構(gòu)造與所述第2階梯構(gòu)造具有除了高度不同以外，其它在所述第1方向上皆對(duì)稱的構(gòu)造。