[發明專利]像素單元電路、像素電路、驅動方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 202110250570.6
• 申請日: 2017-07-17
• 公開（公告）號: CN112992061A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 楊盛際;董學;陳小川;王輝;王晏酩;盧鵬程;劉偉;王慧娟;玄明花
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208;G09G3/3258
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

本發明提供一種像素單元電路、像素電路、驅動方法和顯示裝置。像素單元電路包括：發光元件，第一端與低電平輸入端耦接；存儲電容模塊，第一端與一直流電壓輸入端耦接；驅動晶體管，柵極與存儲電容模塊的第二端耦接，第一極與發光元件的第二端耦接；第一控制模塊，分別與柵線、數據線和驅動晶體管的柵極耦接，用于在柵線的控制下，控制驅動晶體管的柵極是否與數據線連接；以及，電位控制晶體管，柵極和第一極都與驅動晶體管的第一極耦接，第二極與地端耦接。本發明能有效調節發光元件自身的亮度，并通過采用電位控制晶體管，以保護有機發光二極管的陽極的電位不低于地端的電位，保證驅動晶體管的柵源電壓不會超過驅動晶體管的最大驅動電壓。

本申請為申請日為2017年7月17日的，申請號為201710581734.7的中國專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素單元電路、像素電路、驅動方法和顯示裝置。

背景技術

硅基OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極管)微顯示器處于微電子技術和光電子技術的交叉點上，結合了OLED技術和CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor，互補金屬氧化物半導體)技術，是光電子產業和微電子產業的交叉集成，促進了新一代的微型顯示的發展，也推進了硅上有機電子，甚至是硅上分子電子的研究和發展。

現有的硅基OLED微顯示器不能有效調節Micro(微)OLED自身的亮度，并存在動態殘影，并數據線上的數據電壓范圍窄從而不能有效提高OLED的發光亮度的問題。并且，現有技術中存在不能保證驅動晶體管的柵源電壓不超過驅動晶體管的最大驅動電壓，從而會引起驅動晶體管失效的問題。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種像素單元電路、像素電路、驅動方法和顯示裝置，解決現有的像素單元電路不能有效調節發光元件自身亮度的問題，并解決現有技術中存在不能保證驅動晶體管的柵源電壓不超過驅動晶體管的最大驅動電壓，從而會引起驅動晶體管失效的問題。

為了達到上述目的，本發明提供了一種像素單元電路，包括：

發光元件，第一端與低電平輸入端耦接；

存儲電容模塊，第一端與一直流電壓輸入端耦接；

驅動晶體管，柵極與所述存儲電容模塊的第二端耦接，第一極與所述發光元件的第二端耦接；

第一控制模塊，分別與柵線、數據線和所述驅動晶體管的柵極耦接，用于在所述柵線的控制下，控制所述驅動晶體管的柵極是否與所述數據線連接；以及，

電位控制晶體管，柵極和第一極都與所述驅動晶體管的第一極耦接，第二極與地端耦接。

可選的，所述柵線包括第一柵極開關線和第二柵極開關線；

所述第一控制模塊包括：

第一晶體管，柵極與所述第一柵極開關線耦接，第一極與所述驅動晶體管的柵極耦接，第二極與所述數據線耦接；以及，

第二晶體管，柵極與所述第二柵極開關線耦接，第一極與所述數據線耦接，第二極與所述驅動晶體管的柵極耦接。

可選的，所述第一晶體管為n型晶體管，所述第二晶體管為p型晶體管。

可選的，所述驅動晶體管為n型晶體管。

可選的，本發明至少一實施例所述的像素單元電路還包括第二控制模塊；

所述第二控制模塊的控制端與第一控制線連接，所述第二控制模塊的第一端與高電平輸入端連接，所述第二控制模塊的第二端與所述驅動晶體管的第二極連接，所述第二控制模塊用于在所述第一控制線的控制下，所述第二控制模塊控制所述驅動晶體管的第二極是否與所述高電平輸入端連接。