[發(fā)明專利]發(fā)光器件的制造方法和發(fā)光器件

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• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112993104A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岳大川;朱濤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市奧視微科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓；所述晶圓包括一襯底及自該襯底生長的一外延層；

在所述外延層上遠離所述襯底的一側(cè)刻蝕多個第一溝槽，以使所述外延層表面形成多個像素區(qū)域；所述第一溝槽的深度小于所述外延層的厚度；在所述第一溝槽所在位置繼續(xù)向下刻蝕，獲取多個第二溝槽；在各所述第二溝槽中填充有機膠；和/或

對所述襯底遠離所述外延層的一側(cè)進行圖形化處理，形成至少一個第三溝槽；所述第三溝槽的深度小于所述襯底的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述第二溝槽的深度至少貫穿所述外延層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述外延層包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層，當(dāng)所述有機膠為絕緣有機膠或所述有機膠為導(dǎo)電性小于N型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性時，所述第二溝槽的寬度小于所述第一溝槽的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述外延層包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層，當(dāng)所述有機膠為導(dǎo)電性大于等于N型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性時，所述第二溝槽的寬度小于或等于所述第一溝槽的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一溝槽所在位置繼續(xù)向下刻蝕，獲取多個第二溝槽包括：

在每間隔N個像素區(qū)域之間的所述第一溝槽所在位置繼續(xù)向下刻蝕，獲取多個所述第二溝槽；其中，N為大于等于1的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一溝槽所在位置繼續(xù)向下刻蝕，獲取多個第二溝槽包括：

隨機在所述外延層上任意所述第一溝槽所在位置繼續(xù)向下刻蝕，獲取多個所述第二溝槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，在所述襯底遠離所述外延層的一側(cè)上刻蝕多個第三溝槽之前，所述制造方法還包括：

在所述外延層遠離所述襯底的一側(cè)上形成一保護層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，在所述襯底遠離所述外延層的一側(cè)上刻蝕多個第三溝槽之后，所述制造方法還包括：

在各所述第三溝槽中填充有機膠或在部分所述第三溝槽中填充有機膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，所述第三溝槽的直徑小于所述晶圓的直徑。

10.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：

襯底；

外延層，從所述襯底的一側(cè)上生成；

所述外延層遠離所述襯底的一側(cè)上包括刻蝕形成的多個第一溝槽和被多個所述第一溝槽劃分形成的多個像素區(qū)域；所述第一溝槽的深度小于所述外延層的厚度；所述外延層上還包括多個第二溝槽；所述第二溝槽自所述第一溝槽所在位置繼續(xù)向下刻蝕形成；所述第二溝槽的深度至少貫穿所述外延層；有機膠，填充于各所述第二溝槽中；和/或

所述襯底遠離所述外延層的一側(cè)上包括至少一個第三溝槽；所述第三溝槽的深度小于所述襯底的厚度。