[發明專利]發光器件的制造方法和發光器件

在審

• 申請號: 202110250298.1
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112993104A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 岳大川;朱濤
• 申請（專利權）人: 深圳市奧視微科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

本發明涉及LED微顯示技術領域，公開了一種發光器件的制造方法和發光器件，包括提供一晶圓；晶圓包括一襯底及自該襯底生長的一外延層；在外延層上遠離襯底的一側刻蝕多個第一溝槽，以使外延層表面形成多個像素區域；第一溝槽的深度小于外延層的厚度；在第一溝槽所在位置繼續向下刻蝕，獲取多個第二溝槽；在各第二溝槽中填充有機膠；和/或對襯底遠離外延層的一側進行圖形化處理，形成至少一個第三溝槽；第三溝槽的深度小于襯底的厚度。通過在像素區域之間制作深溝槽并填充有機膠，達到釋放晶圓上應力的效果，進而實現減少LED發光芯片出現翹曲現象的目的。或在襯底遠離外延層的一側制作圖形化，來減小整個晶圓的應力，達到減少出現翹曲現象的目的。

技術領域

本發明涉及LED微顯示技術領域，特別是涉及一種發光器件的制造方法和發光器件。

背景技術

LED發光芯片與驅動芯片的鍵合可通過Die(晶粒)to Die或Wafer(晶圓)to Wafe兩種鍵合方式實現。在使用wafer to wafer鍵合方式時，晶圓的翹曲對鍵合的對位精度以及鍵合精度均有較大影響。因此，LED發光芯片和驅動芯片在通過Wafer to Wafer進行鍵合時，需要兩片Wafer盡可能的平整無翹曲。但在實際生產中，Wafer通常會因其本身的應力及后續生長的膜層和一些工藝制程帶來的應力而導致其出現翹曲。

發明內容

基于此，有必要針對Wafer因其本身的應力及后續生長的膜層和一些工藝制程帶來的應力而導致其出現翹曲的問題，提供一種發光器件的制造方法和發光器件。

一種發光器件的制造方法，包括提供一晶圓；所述晶圓包括一襯底及自該襯底生長的一外延層；在所述外延層上遠離所述襯底的一側刻蝕多個第一溝槽，以使所述外延層表面形成多個像素區域；所述第一溝槽的深度小于所述外延層的厚度；在所述第一溝槽所在位置繼續向下刻蝕，獲取多個第二溝槽；在各所述第二溝槽中填充有機膠；和/或對所述襯底遠離所述外延層的一側進行圖形化處理，形成至少一個第三溝槽；所述第三溝槽的深度小于所述襯底的厚度。

上述發光器件的制造方法，在晶圓的外延層上刻蝕獲取多個第一溝槽，以形成多個像素區域。第一溝槽的深度小于外延層的厚度。在第一溝槽所在位置繼續向下刻蝕形成第二溝槽，并在第二溝槽中填充有機膠。第二溝槽的深度至少貫穿所述外延層。通過在像素區域之間制作深溝槽并填充有機膠，從而達到釋放晶圓上應力的效果，進而可以實現減少LED發光芯片出現翹曲現象的目的。或在襯底遠離外延層的一側制作圖形化，來減小整個晶圓的應力，進而減小出現翹曲現象的概率。

在其中一個實施例中，所述第二溝槽的深度至少貫穿所述外延層。

在其中一個實施例中，所述外延層包括P型半導體層和N型半導體層，當所述有機膠為絕緣有機膠或所述有機膠為導電性小于N型半導體層的導電性時，所述第二溝槽的寬度小于所述第一溝槽的寬度。

在其中一個實施例中，所述外延層包括P型半導體層和N型半導體層，當所述有機膠為導電性大于等于N型半導體層的導電性時，所述第二溝槽的寬度小于或等于所述第一溝槽的寬度。

在其中一個實施例中，所述在所述第一溝槽所在位置繼續向下刻蝕，獲取多個第二溝槽包括在每間隔N個像素區域之間的所述第一溝槽所在位置繼續向下刻蝕，獲取多個所述第二溝槽；其中，N為大于等于1的整數。

在其中一個實施例中，所述在所述第一溝槽所在位置繼續向下刻蝕，獲取多個第二溝槽包括隨機在所述外延層上任意所述第一溝槽所在位置繼續向下刻蝕，獲取多個所述第二溝槽。

在其中一個實施例中，在所述襯底遠離所述外延層的一側上刻蝕多個第三溝槽之前，所述制造方法還包括在所述外延層遠離所述襯底的一側上形成一保護層。

在其中一個實施例中，在所述襯底遠離所述外延層的一側上刻蝕多個第三溝槽之后，所述制造方法還包括在各所述第三溝槽中填充有機膠或在部分所述第三溝槽中填充有機膠。