[發(fā)明專利]具有導(dǎo)通控制的化學(xué)沉積設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110249882.5 | 申請日: | 2014-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN113186519B | 公開(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 拉梅什·錢德拉賽卡蘭;卡爾·利澤;夏春光;杰里米·塔克 | 申請(專利權(quán))人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/505;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人: | 樊英如;邱曉敏 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 控制 化學(xué) 沉積 設(shè)備 | ||
一種具有導(dǎo)通控制的化學(xué)沉積設(shè)備,其包括:具有面板和背板的噴頭模塊,所述噴頭模塊包括輸送反應(yīng)器化學(xué)成分到腔體以及清除反應(yīng)器化學(xué)成分的排放出口;基座模塊,其被配置為支撐襯底,并且垂直移動以關(guān)閉所述基座模塊與所述面板的外部之間的腔體;以及至少一個導(dǎo)通控制組件,經(jīng)由所述排放出口流體連通所述腔體。所述至少一個導(dǎo)通控制組件選自以下各項中的一個或多個:磁耦合旋轉(zhuǎn)板和/或基于線性的磁系統(tǒng)。
本申請是申請?zhí)枮?01910353875.2、申請日為2014年7月3日、發(fā)明名稱為“具有導(dǎo)通控制的化學(xué)沉積設(shè)備”的發(fā)明專利申請的分案申請。且申請?zhí)枮?01910353875.2的發(fā)明專利申請是申請?zhí)枮?01410314732.8、申請日為2014年7月3日、發(fā)明名稱為“具有導(dǎo)通控制的化學(xué)沉積設(shè)備”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于用于進行化學(xué)沉積以及用于進行等離子體增強化學(xué)沉積的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)
等離子體處理設(shè)備可以用于通過包含以下技術(shù)在內(nèi)的技術(shù)處理半導(dǎo)體襯底:蝕刻、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體增強原子層沉積(PEALD)、脈沖沉積層(PDL)、等離子體增強脈沖沉積層(PEPDL)處理和抗蝕劑剝離。例如,在等離子體處理中使用的一種等離子體處理設(shè)備包括含頂電極和底電極的反應(yīng)室或沉積室。在電極之間施加射頻(RF)功率以激發(fā)處理氣體或反應(yīng)器化學(xué)成分為等離子體,用于處理反應(yīng)室中的半導(dǎo)體襯底。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種化學(xué)沉積設(shè)備,所述化學(xué)沉積設(shè)備包括:化學(xué)離析室;形成在所述化學(xué)離析室內(nèi)的沉積室;具有面板和背板的噴頭模塊,所述噴頭模塊包括輸送反應(yīng)器化學(xué)成分到腔體的多個入口和清除反應(yīng)器化學(xué)成分的排放出口;以及至少一個導(dǎo)通控制組件,其經(jīng)由所述排放出口流體連通所述腔體并且抽排設(shè)備通過所述一個或多個抽排真空管道流體連接到所述至少一個導(dǎo)通控制組件,所述至少一個導(dǎo)通控制組件選自以下各項的一個或多個:(a)球閥組件,所述球閥組件包括:具有錐形下部的殼體;從所述殼體的所述錐形下部延伸到所述腔體的一個或多個排放出口的導(dǎo)管,所述導(dǎo)管具有入口和出口;以及被配置為配合(fit)在所述錐形下部內(nèi)的球狀體,并且其中所述球狀體被配置為在配料步驟期間阻塞所述導(dǎo)管的所述出口并且防止所述反應(yīng)器化學(xué)成分流過所述導(dǎo)管,并且在清掃(purging)步驟期間當(dāng)超過所述腔體內(nèi)的第一壓力和流速時通過上升以在所述球狀體的下表面與所述導(dǎo)管的所述出口之間提供開口來允許所述反應(yīng)器化學(xué)成分和凈化氣體從所述腔體流入一個或多個抽排真空管道;(b)流體閥,所述流體閥具有調(diào)節(jié)氣體部分和室流出部分,所述調(diào)節(jié)氣體部分被配置為引導(dǎo)來自調(diào)節(jié)氣體源的調(diào)節(jié)氣體流進入來自所述腔體的反應(yīng)器化學(xué)成分流,并且其中所述調(diào)節(jié)氣體流調(diào)節(jié)來自所述腔體的所述反應(yīng)器化學(xué)成分流受到的流阻;(c)回轉(zhuǎn)閥,所述回轉(zhuǎn)閥包括:上旋轉(zhuǎn)板;以及與所述上旋轉(zhuǎn)板磁耦合的下旋轉(zhuǎn)板,所述下旋轉(zhuǎn)板具有多個導(dǎo)管,所述多個導(dǎo)管的每一個被配置為從所述噴頭模塊內(nèi)對應(yīng)的抽排導(dǎo)管接收來自所述腔體的反應(yīng)器化學(xué)成分,所述抽排導(dǎo)管流體連通一個或多個所述排放出口;和/或(d)磁耦合線性閥,所述磁耦合線性閥包括:磁性殼體;以及多個直桿,所述多個直桿被配置為在多個通道內(nèi)磁致(magnetically)上升和下降,所述多個直桿的每一個具有近端部和遠端部,所述近端部被配置為磁耦合所述磁性殼體,從而在所述磁性殼體內(nèi)升高和降低所述多個直桿,所述遠端部充當(dāng)用于從所述排放出口釋放所述反應(yīng)器化學(xué)成分和/或所述凈化氣體的閥門。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





