[發明專利]具有導通控制的化學沉積設備有效
| 申請號: | 202110249882.5 | 申請日: | 2014-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN113186519B | 公開(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發明(設計)人: | 拉梅什·錢德拉賽卡蘭;卡爾·利澤;夏春光;杰里米·塔克 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/505;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 樊英如;邱曉敏 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 控制 化學 沉積 設備 | ||
1.一種控制化學沉積設備的腔體內的導通的方法,包括:
在所述化學沉積設備的所述腔體內處理襯底,所述腔體形成在噴頭模塊與被配置為接收所述襯底的襯底基座模塊之間,其中所述噴頭模塊包括輸送反應器化學成分到所述腔體的多個入口和從所述腔體清除反應器化學成分和凈化氣體的排放出口;
注射凈化氣體到所述腔體中;并且
使用經由所述排放出口流體連通所述腔體的至少一個導通控制組件來控制所述腔體的導通狀態的變化,所述至少一個導通控制組件選自以下各項中的一個或多個:
(a)回轉閥,所述回轉閥包括:
上旋轉板;以及
與所述上旋轉板磁耦合的下旋轉板,所述下旋轉板具有多個導管,所述多個導管中的每一個被配置為從所述噴頭模塊內對應的抽排導管接收來自所述腔體的反應器化學成分,所述抽排導管流體連通一個或多個所述排放出口;和/或
(b)磁耦合線性閥,所述磁耦合線性閥包括:
磁性殼體;以及
多個直桿,所述多個直桿被配置為在多個通道內磁致上升和下降,所述多個直桿中的每一個具有近端部和遠端部,所述近端部被配置為磁耦合所述磁性殼體,從而在所述磁性殼體內升高和降低所述多個直桿,所述遠端部充當用于從所述排放出口釋放所述反應器化學成分和/或所述凈化氣體的閥門。
2.如權利要求1所述的方法,其包括:使用一個或多個抽排真空管道將所述至少一個導通控制組件連接到抽排設備。
3.一種化學沉積設備,其包括:
化學離析室;
形成在所述化學離析室內的沉積室;
具有面板和背板的噴頭模塊,所述面板包括輸送反應器化學成分到腔體的多個入口和從所述腔體清除反應器化學成分的在所述入口的徑向外側的排放出口;以及
至少一個導通控制組件,其經由所述排放出口與所述腔體流體連通并且抽排設備通過一個或多個抽排真空管道流體連接到所述至少一個導通控制組件,所述至少一個導通控制組件包括回轉閥,所述回轉閥包括:
上旋轉板;以及
與所述上旋轉板磁耦合的下旋轉板,所述上旋轉板在大氣中旋轉,而所述下旋轉板在真空中旋轉,所述下旋轉板具有多個導管,所述多個導管與介于所述上旋轉板與所述下旋轉板之間的充氣室流體連通,所述充氣室與所述一個或多個抽排真空管道流體連通,所述多個導管中的每一個被配置為從所述噴頭模塊內對應的抽排導管接收來自所述腔體的反應器化學成分,所述抽排導管流體連通一個或多個所述排放出口。
4.如權利要求3所述的設備,其包括:凈化氣體源,所述凈化氣體被供應到所述腔體以清除所述腔體的所述反應器化學成分。
5.如權利要求3所述的設備,其中當所述上旋轉板沿順時針亦或逆時針方向旋轉時,所述下旋轉板會對應地旋轉。
6.如權利要求3所述的設備,其中所述下旋轉板內的所述多個導管中的每一個在所述下旋轉板的下表面上具有入口并且在所述下旋轉板的上表面上具有出口,并且所述多個抽排導管中的每一個還包括流體連通所述腔體的入口以及流體連通所述下旋轉板的入口的出口。
7.如權利要求3所述的設備,其中所述下旋轉板的每個出口流體連通內腔體,所述內腔體流體連通所述一個或多個抽排氣體管道。
8.如權利要求3所述的設備,其包括:襯底基座模塊,其被配置為支撐襯底并且垂直移動以關閉所述基座模塊與所述面板的外部之間的所述腔體,并且其中所述至少一個導通控制組件是繞著所述襯底基座模塊在周向上均勻間隔開的多個導通控制組件。
9.如權利要求8所述的設備,其中所述多個導通控制組件中的每一個被配置為流體連接兩個或更多個排放出口。
10.如權利要求3所述的設備,其包括:
半導體襯底;并且
其中在所述襯底上進行以下處理中的至少一種:化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、等離子體增強原子層沉積、脈沖沉積層和/或等離子體增強脈沖沉積層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





