[發明專利]多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置及方法

有效

• 申請號: 202110248636.8
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112630628B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 傅郁曉;吳慶;陳迎濤;楊栓;張麗霞
• 申請（專利權）人: 上海偉測半導體科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;H01H85/32
• 代理公司: 上海和華啟核知識產權代理有限公司 31339
• 代理人: 王仙子

本發明揭示了一種多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置及方法。本發明提供的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置包括熔斷自檢模塊，所述熔斷自檢模塊連接至待處理芯片的保險絲管腳，用于檢測保險絲功能是否正常；熔斷執行模塊，第一端用于連接所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳，第二端連接所述待處理芯片的低電平輸出端，第三端連接所述待處理芯片的高電平輸出端，從而使得電壓在10nS時間內從0上升到工作電壓且無向下振蕩現象；以及絕緣電阻檢測模塊，用于檢測熔斷后的保險絲的電阻。本發明能夠提高多晶硅工藝保險絲熔斷的良率和可靠性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置及方法。

背景技術

在集成電路探針（CP）測試領域，很多情況需要用到保險絲的熔斷功能，目前業內常用保險絲分為多晶硅（Poly）和金屬工藝兩種，其中多晶硅工藝保險絲電阻普遍在50歐姆-100歐姆，而金屬工藝的保險絲阻值一般在10歐姆以內。通常金屬工藝的保險絲主要靠較大的電流沖擊進行熔斷；而多晶硅工藝的保險絲的熔斷電流相對較低，常規熔斷方法熔斷成功率較低，還會出現有一部分保險絲在CP測試熔斷通過后，進入下一道封裝工序后保險絲電阻又會恢復，導致產品異常、失效。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置及方法，提高多晶硅工藝保險絲熔斷的良率和可靠性。

為解決上述技術問題，根據本發明的第一方面，提供一種多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置包括：

熔斷自檢模塊，所述熔斷自檢模塊連接至待處理芯片的保險絲管腳，用于檢測保險絲功能是否正常；

熔斷執行模塊，包括電阻RL、電阻RH和二極管D，所述電阻RL的一端連接至所述待處理芯片的低電平輸出端，所述電阻RH的一端連接至所述待處理芯片的高電平輸出端，所述電阻RL的另一端與所述電阻RH的另一端連接后，接入所述二極管的輸入端，所述二極管的輸出端連接所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳，從而使得電壓在10nS時間內從0上升到工作電壓且無向下振蕩現象；以及

絕緣電阻檢測模塊，用于檢測熔斷后的保險絲的電阻。

可選的，所述熔斷自檢模塊包括至少一個自檢單元，所述自檢單元一端接地，另一端接所述保險絲管腳，所述自檢單元包括指示燈，所述指示燈的一端即為所述自檢單元的一端，所述指示燈另一端接自檢電阻的一端，所述自檢電阻的另一端即為所述自檢單元的另一端。

可選的，ATE設備的KF1A繼電器連接所述待處理芯片的正輸入端，ATE設備的VP端連接所述待處理芯片的VDD端，ATE設備的KR1A繼電器連接所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳。

可選的，絕緣電阻檢測模塊包括I-V轉換電路。

可選的，所述工作電壓為5V。

根據本發明的第二方面，提供一種多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，包括：

熔斷自檢模塊，所述熔斷自檢模塊連接至待處理芯片的保險絲管腳，用于檢測保險絲功能是否正常；

熔斷執行模塊，具有一個高速MOS管，源極連接至所述待處理芯片的低電平輸出端，漏極連接至所述待處理芯片的高電平輸出端，柵極連接至所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳，從而使得電壓在10nS時間內從0上升到工作電壓且無向下振蕩現象；以及

絕緣電阻檢測模塊，用于檢測熔斷后的保險絲的電阻。

可選的，所述柵極與所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳之間串接快速恢復二極管。

可選的，所述熔斷自檢模塊包括至少一個自檢單元，所述自檢單元一端接地，另一端接所述保險絲管腳，所述自檢單元包括指示燈，所述指示燈的一端即為所述自檢單元的一端，所述指示燈另一端接自檢電阻的一端，所述自檢電阻的另一端即為所述自檢單元的另一端。