[發(fā)明專利]多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置及方法

有效

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• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112630628B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 傅郁曉;吳慶;陳迎濤;楊栓;張麗霞
• 申請（專利權）人: 上海偉測半導體科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;H01H85/32
• 代理公司: 上海和華啟核知識產權代理有限公司 31339
• 代理人: 王仙子

1.一種多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，包括：

熔斷自檢模塊，所述熔斷自檢模塊連接至待處理芯片的保險絲管腳，用于檢測保險絲功能是否正常；

熔斷執(zhí)行模塊，包括電阻RL、電阻RH和二極管D，所述電阻RL的一端連接至所述待處理芯片的低電平輸出端，所述電阻RH的一端連接至所述待處理芯片的高電平輸出端，所述電阻RL的另一端與所述電阻RH的另一端連接后，接入所述二極管的輸入端，所述二極管的輸出端連接所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳，從而使得電壓在10nS時間內從0上升到工作電壓且無向下振蕩現象；以及

絕緣電阻檢測模塊，用于檢測熔斷后的保險絲的電阻。

2.如權利要求1所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，所述熔斷自檢模塊包括至少一個自檢單元，所述自檢單元一端接地，另一端接所述保險絲管腳，所述自檢單元包括指示燈，所述指示燈的一端即為所述自檢單元的一端，所述指示燈另一端接自檢電阻的一端，所述自檢電阻的另一端即為所述自檢單元的另一端。

3.如權利要求1所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，ATE設備的KF1A繼電器連接所述待處理芯片的正輸入端，ATE設備的VP端連接所述待處理芯片的VDD端，ATE設備的KR1A繼電器連接所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳。

4.如權利要求1所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，絕緣電阻檢測模塊包括I-V轉換電路。

5.如權利要求1所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，所述工作電壓為5V。

6.一種多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，包括：

熔斷自檢模塊，所述熔斷自檢模塊連接至待處理芯片的保險絲管腳，用于檢測保險絲功能是否正常；

熔斷執(zhí)行模塊，具有一個高速MOS管，源極連接至所述待處理芯片的低電平輸出端，漏極連接至所述待處理芯片的高電平輸出端，柵極連接至所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳，從而使得電壓在10nS時間內從0上升到工作電壓且無向下振蕩現象；以及

絕緣電阻檢測模塊，用于檢測熔斷后的保險絲的電阻。

7.如權利要求6所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，所述柵極與所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳之間串接快速恢復二極管。

8.如權利要求6所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，所述熔斷自檢模塊包括至少一個自檢單元，所述自檢單元一端接地，另一端接所述保險絲管腳，所述自檢單元包括指示燈，所述指示燈的一端即為所述自檢單元的一端，所述指示燈另一端接自檢電阻的一端，所述自檢電阻的另一端即為所述自檢單元的另一端。

9.如權利要求6所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，ATE設備的KF1A繼電器連接所述待處理芯片的正輸入端，ATE設備的VP端連接所述待處理芯片的VDD端，ATE設備的KR1A繼電器連接所述待處理芯片需要熔斷的保險絲的管腳。

10.如權利要求6所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，絕緣電阻檢測模塊包括I-V轉換電路。

11.如權利要求6所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，其特征在于，所述工作電壓為5V。

12.一種多晶硅工藝保險絲的熔斷方法，其特征在于，采用權利要求1-5中任意一項或權利要求6-11中任意一項所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷裝置，包括：

檢查以確保每段保險絲的熔斷功能完好；

執(zhí)行ATE測試，通過測試結果獲得需要進行熔斷的保險絲；

對需要熔斷的保險絲進行熔斷，熔斷電壓在10nS內從0上升到工作電壓；

測量被熔斷的保險絲的電阻。

13.根據權利要求12所述的多晶硅工藝保險絲的熔斷方法，其特征在于，采用5nA以內的小電流測量被熔斷的保險絲的電阻。