[發明專利]一種晶圓研磨膠帶基材及其制備方法

有效

• 申請號: 202110247959.5
• 申請日: 2021-03-06
• 公開（公告）號: CN113136148B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 李丹丹
• 申請（專利權）人: 通瓦化學（上海）有限公司
• 主分類號: C09J7/29
• 分類號: C09J7/29;C08L23/08;C08L23/06;C08K9/04;C08K7/26
• 代理公司: 蘇州啟華專利代理事務所(普通合伙) 32357
• 代理人: 徐偉華

本發明公開了一種晶圓研磨膠帶基材及其制備方法，基材包括基材內層和基材外層，其中，基材外層的原料按照質量份數計包括以下組分：低密度聚乙烯10?35份、茂金屬線性低密度聚乙烯25?60份、改性無機填料10?30份，其中改性無機填料是由偶聯劑對氣相二氧化硅進行表面活性改性得到；基材內層的原料按照質量份數計包括以下組分：醋酸乙烯含量為5wt%?20wt%的乙烯?醋酸乙烯共聚物50?75份、茂金屬線性低密度聚乙烯10?35份。本發明的基材采用了雙層流延結構，其基材外層中添加了改性無機填料以增加基材外層的剛性，其基材內層采用了乙烯?醋酸乙烯共聚物結構配方起到抗震吸能的作用，同時乙烯?醋酸乙烯共聚物在與膠粘劑涂覆時不需底涂就可以與膠粘劑很好的粘結。

技術領域

本發明涉及研磨膠帶技術領域，具體涉及一種晶圓研磨膠帶基材及其制備方法。

背景技術

隨著科技的發展，在半導體器件的制造領域，半導體器件的尺寸不斷減小，電子芯片的尺寸也不斷減小。為此，在半導體器件制造過程中，在晶圓的功能面上形成眾多半導體器件之后，進行晶圓背面研磨工藝(Back Grinding，簡稱BG)，采用平坦化工藝研磨晶圓與功能面對應的背面去除部分厚度的晶圓，以減小后續形成的芯片厚度。在研磨晶圓背面的過程中，會先在晶圓的功能面上覆蓋一層保護膠帶(BG tape)，以保護晶圓在研磨過程中免受雜質或水的污染，確保芯片的質量。

由于以往晶圓設研磨保護膠帶采用基材+(中間層)+填充層(起到包覆晶圓功能區凸起部分)+粘結層的三層(甚至四層)結構，以及三次及以上的涂覆工藝，給晶圓研磨膠帶質量管控帶來很多復雜的因素，造成晶圓研磨膠帶生產的高成本和較長的生產周期。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的不足，提供一種晶圓研磨膠帶基材。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：一種晶圓研磨膠帶基材，所述基材包括基材內層和基材外層，其中，

所述基材外層的原料按照質量份數計包括以下組分：低密度聚乙烯10-35份、茂金屬線性低密度聚乙烯25-60份、改性無機填料10-30份，其中改性無機填料是由偶聯劑對氣相二氧化硅進行表面活性改性得到；

所述基材內層的原料按照質量份數計包括以下組分：醋酸乙烯含量為5wt％-20wt％的乙烯-醋酸乙烯共聚物50-75份、茂金屬線性低密度聚乙烯10-35份。

作為一種具體的實施方式，所述基材外層的厚度控制在15-50um；基材內層的厚度控制在65-100um。

作為一種具體的實施方式，所述改性無機填料采用了鈦酸酯類偶聯劑對氣相二氧化硅進行表面活性改性得到。

作為一種具體的實施方式，所述改性無機填料的添加量為15-20份。

本發明的另一個目的是提供上述晶圓研磨膠帶基材的制備方法，包括以下步驟：

按照質量份數分別稱取基材外層和基材內層所需的原料，并分別加入到A擠出機料斗和B擠出機料斗中，分別混合呈熔體，而后采用流延法將基材外層的熔體和基材內層的熔體通過衣架式共擠模頭流延擠出至冷卻輥上冷卻成型，而后經后鋼輥壓花、電暈后由收卷機構進行收卷呈卷狀基材原膜。

質量熔體經急冷輥冷卻定型后，再次升溫，通過精密鋼輥進行壓花處理，即后壓花工藝，一方面賦予薄膜非膠面的霧面紋路，有利于收卷薄膜疊層之間的排氣保證收卷的質量，另一方面在壓花的同時起到回火處理消除薄膜內部的應力的作用，使的我們基材在后續涂膠時尺寸穩定性更好。且該工藝步驟簡單，實施方便，生產周期短、成本低。