[發明專利]一種用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法

在審

• 申請號: 202110246424.6
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113056101A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 張偉偉;唐宏華;李波;聶興培;劉敏;林洪德;樊廷慧;石學兵
• 申請（專利權）人: 惠州市金百澤電路科技有限公司;深圳市金百澤電子科技股份有限公司;西安金百澤電路科技有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K9/00
• 代理公司: 惠州市超越知識產權代理事務所(普通合伙) 44349
• 代理人: 陳文福

1.一種用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.設計工程文件，將大張PTFE墊片制作成小型的具有特定外形的PTFE墊片；

S2.選取加工文件，將電磁屏蔽膜加工成與PTFE墊片的形狀一致；

S3.將電磁屏蔽膜貼入PCB板中，在墊片放在電磁屏蔽膜上面，并且通過粘耐高溫膠帶等方式固定住墊片；

S4.將快壓機按照上圖設計好時間，壓力參數，擺放好輔料后將PCB板放入壓合；

S5.完成壓合后，將墊片拆開繼續加工下一塊PCB板；

S6.設計工程文件，將PCB板送去激光機洗去多余部分電磁屏蔽膜；

S7.轉入下一工序。

2.根據權利要求1所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S1中，工程文件上PTFE墊片的圖形尺寸所有的邊都要比開窗文件小0.1-0.2mm，厚度范圍設定0.1-3mm。

3.根據權利要求2所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S1中，厚度由軟板與硬板的開窗階梯厚度確定，比階梯厚度大于0.1mm以上。

4.根據權利要求1所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S2中，電磁屏蔽膜的形狀與PTFE形狀一致，比實際圖形縮小0.1mm，符合加工要求。

5.根據權利要求1所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S4中，將加工好的二次壓合電磁膜貼在PCB軟板區域后，放上PTFE墊片，然后用耐高溫膠帶將PTFE墊片固定住，即可壓合。

6.根據權利要求5所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S4中，壓合時，PCB軟板設置在中線區域，PCB硬板對稱設置在PCB軟板兩端，PCB軟板兩面鋪設二次電磁屏膜，然后在二次電磁屏膜上方設置PTFE墊片進行壓合。

7.根據權利要求6所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S4中，壓合前疊板時，鋪上半固化片，并在半固化片掏空的槽內放置同等厚度的墊片。

8.根據權利要求7所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S4中，壓合包括預壓和成型壓；預壓的參數為：壓力8-12kg，時間5-20s；成型壓的參數為：壓力20-100kg，時間200-600s。

9.根據權利要求8所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S4中，壓合包括預壓和成型壓；預壓的參數為：壓力9-11kg，時間10-20s；成型壓的參數為：壓力35-50kg，時間500-600s。

10.根據權利要求5-9任一項所述的用于電磁屏蔽膜的二次加工壓合方法，其特征在于，步驟S4中，壓合輔料的設計為：在PCB板兩側依次對稱設置離型膜和硅膠墊。