[發(fā)明專(zhuān)利]加強(qiáng)環(huán)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110246356.3 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113394171A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 伊蘭·朗古特;貝里·哈拉契米 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 邁絡(luò)思科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/16 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467 | 代理人： | 賀征華 |
| 地址： | 以色列*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 加強(qiáng) | ||
本發(fā)明公開(kāi)的實(shí)施方式提供了適合用于硅裸片靠近封裝邊緣的ASIC封裝件中的比硅高的加強(qiáng)環(huán)。加強(qiáng)環(huán)被配置為允許接近緊鄰ASIC封裝件邊緣的硅裸片的背面的直接散熱。用于ASIC封裝件的加強(qiáng)環(huán)具有不均勻的橫截面，并且可以包括階梯狀的橫截面。加強(qiáng)環(huán)可以包括高度大于外圍硅裸片的高度的第一區(qū)段和高度小于或等于硅裸片的高度的第二區(qū)段。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于ASIC封裝件的加強(qiáng)環(huán)。更具體地，本發(fā)明涉及一種加強(qiáng)環(huán)，該加強(qiáng)環(huán)被配置成允許到位于緊鄰ASIC封裝件的邊緣的硅裸片的背面的直接散熱通路，不論該ASIC封裝件是多芯片模塊還是單裸片封裝件。
背景技術(shù)
高功率ASIC可以使用加強(qiáng)環(huán)來(lái)封裝，該加強(qiáng)環(huán)允許通過(guò)散熱器到硅裸片的背面的直接散熱通路。為了改善機(jī)械支撐并減少ASIC封裝件的翹曲，有時(shí)將加強(qiáng)環(huán)設(shè)計(jì)為高于硅裸片。但是，迄今為止，現(xiàn)有技術(shù)未能提供適合用于硅裸片靠近封裝邊緣的ASIC封裝件中的比硅高的加強(qiáng)環(huán)，因此，現(xiàn)有技術(shù)的加強(qiáng)環(huán)限制了散熱器接近硅裸片的背面。圖1(圖1A和圖1B)圖示了該問(wèn)題，圖1是概念圖，在圖1A中示出了沿圖1B的AA平面截取的ASIC封裝件10的橫截面，該ASIC封裝件10設(shè)置有位于緊鄰加強(qiáng)環(huán)12的裸片11，該加強(qiáng)環(huán)12比裸片11高。如圖所示，在重疊的體積14中，散熱器13可占據(jù)與加強(qiáng)環(huán)12相同的空間。因此，散熱器13在實(shí)際情況下不能與裸片11接觸。使用與圖1A和圖1B相同的數(shù)字，在圖1C中示出了實(shí)際情況。在圖1A中，為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，封裝件基座由數(shù)字15表示，并在其他圖中省略。
因此，能夠提供一種克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)的加強(qiáng)環(huán)將是非常有利的。因此，本發(fā)明的目的是提供一種高于硅的加強(qiáng)環(huán)，該加強(qiáng)環(huán)適用于硅裸片靠近封裝件邊緣的ASIC封裝件，并且允許散熱器接近硅裸片的背面。
通過(guò)以下參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的說(shuō)明性和非限制性描述，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明涉及一種用于ASIC封裝件的加強(qiáng)環(huán)，所述加強(qiáng)環(huán)具有不均勻的橫截面。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述加強(qiáng)環(huán)具有階梯狀的橫截面。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述加強(qiáng)環(huán)包括：高度大于外圍硅裸片的高度的第一區(qū)段，和高度小于或等于所述硅裸片的高度的第二區(qū)段。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述加強(qiáng)環(huán)的所述第一區(qū)段包括斜切部分，所述斜切部分可以形成為等于或不同于45°的角度。
根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)施方式，所述加強(qiáng)環(huán)可以具有所述第一區(qū)段的橫截面，所述橫截面具有筆直或非筆直的輪廓。類(lèi)似地，所述加強(qiáng)環(huán)的所述第二區(qū)段的橫截面可以具有筆直或非筆直的輪廓。
本發(fā)明還包括一種ASIC封裝件，所述ASIC封裝件包括具有不均勻橫截面的加強(qiáng)環(huán)。
在附圖中：
圖1(圖1A和圖1B)是使用比外圍裸片更高的加強(qiáng)環(huán)引起的問(wèn)題的概念圖。
圖1C示出了使用比外圍裸片更高的加強(qiáng)環(huán)存在的實(shí)際情況。
圖2(圖2A和圖2B)以橫截面示意性地圖示了采用窄加強(qiáng)環(huán)的ASIC封裝件。
圖3(圖3A和圖3B)以橫截面示意性地圖示了ASIC封裝件，該ASIC封裝件采用高度比周邊硅裸片的高度更低的加強(qiáng)環(huán)。
圖4(圖4A和圖4B)示意性地示出了采用根據(jù)本發(fā)明的加強(qiáng)環(huán)的ASIC封裝件的橫截面。
圖5是采用根據(jù)本發(fā)明的加強(qiáng)環(huán)的ASIC封裝件的示意性透視圖，其中散熱器被移除；以及
圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的采用加強(qiáng)環(huán)的單裸片ASIC封裝件的橫截面。
具體實(shí)施方式
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