[發明專利]金屬掩模在審
| 申請號: | 202110244634.1 | 申請日: | 2021-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN113380619A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 金世一;金宗范;安鼎鉉;李尚玟 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/308 | 分類號: | H01L21/308;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 張燕;樸圣潔 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 | ||
1.一種金屬掩模,包括具有第一厚度并具有以下的金屬薄膜:
第一區域,包括:透射區域,限定穿透所述金屬薄膜的第一開口;以及非透射區域,包括具有小于所述第一厚度的第二厚度的蝕刻部分;以及
鄰近所述第一區域的第二區域,并且所述第二區域限定穿透所述金屬薄膜的第二開口,
其中,所述第一區域的開口密度小于所述第二區域的開口密度,所述第一區域的所述開口密度被限定為所述第一開口的數量/所述第一區域的面積,并且,所述第二區域的所述開口密度被限定為所述第二開口的數量/所述第二區域的面積。
2.根據權利要求1所述的金屬掩模,其中所述透射區域和所述非透射區域中的每個在所述第一區域中被提供為多個。
3.根據權利要求2所述的金屬掩模,其中至少兩個所述非透射區域彼此鄰近。
4.根據權利要求1所述的金屬掩模,其中所述非透射區域的所述蝕刻部分鄰近所述第一開口。
5.根據權利要求1所述的金屬掩模,其中所述第二厚度在所述第一厚度的10%至50%之間。
6.根據權利要求1所述的金屬掩模,其中所述非透射區域進一步包括鄰近所述蝕刻部分的第二蝕刻部分以及所述蝕刻部分和所述第二蝕刻部分之間的肋部分。
7.根據權利要求6所述的金屬掩模,其中所述蝕刻部分和所述第二蝕刻部分具有相同的厚度。
8.根據權利要求6所述的金屬掩模,其中所述肋部分和所述金屬薄膜具有相同的厚度。
9.根據權利要求6所述的金屬掩模,其中所述肋部分的厚度大于所述金屬薄膜的厚度的30%,并小于或等于所述金屬薄膜的所述厚度的80%。
10.根據權利要求1所述的金屬掩模,其中所述第一區域的所述面積小于所述第二區域的所述面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





