[發(fā)明專利]金屬掩模在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110244634.1 | 申請日: | 2021-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN113380619A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金世一;金宗范;安鼎鉉;李尚玟 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/308 | 分類號: | H01L21/308;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 張燕;樸圣潔 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 | ||
根據(jù)本公開的一些實施方式的金屬掩模可包括具有第一厚度并具有第一區(qū)域和鄰近第一區(qū)域的第二區(qū)域的金屬薄膜,第一區(qū)域包括:透射區(qū)域,限定穿透金屬薄膜的第一開口;以及非透射區(qū)域,包括具有小于第一厚度的第二厚度的蝕刻部分,第二區(qū)域限定穿透金屬薄膜的第二開口,其中,第一區(qū)域的開口密度小于第二區(qū)域的開口密度,第一區(qū)域的開口密度被限定為第一開口的數(shù)量/第一區(qū)域的面積,并且第二區(qū)域的開口密度被限定為第二開口的數(shù)量/第二區(qū)域的面積。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2020年3月10日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請第10-2020-0029699號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其全部內(nèi)容通過引用在此并入。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實施方式涉及具有改善的可靠性的金屬掩模。
背景技術(shù)
顯示面板包括多個像素。每個像素包括驅(qū)動裝置(例如,晶體管)和顯示裝置(例如,有機發(fā)光二極管)。顯示裝置通過在基板上堆疊電極和發(fā)光圖案形成。
通過使用具有開口的掩模的圖案化工藝將發(fā)光圖案形成于基板的給定區(qū)域上。例如,發(fā)光圖案形成于通過開口暴露的基板的區(qū)域上。發(fā)光圖案的形狀由開口的形狀決定。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的一些實施方式提供高可靠性的金屬掩模,當金屬掩模被拉伸時,其可防止變形或起皺,或者其展示出減少的變形或起皺。
根據(jù)本公開的一些實施方式,金屬掩模可包括具有第一厚度并具有第一區(qū)域和鄰近第一區(qū)域的第二區(qū)域的金屬薄膜,第一區(qū)域包括:透射區(qū)域,限定穿透金屬薄膜的第一開口;以及非透射區(qū)域,包括具有小于第一厚度的第二厚度的蝕刻部分,第二區(qū)域限定穿透金屬薄膜的第二開口,其中,第一區(qū)域的開口密度小于第二區(qū)域的開口密度,第一區(qū)域的開口密度被限定為第一開口的數(shù)量/第一區(qū)域的面積,并且第二區(qū)域的開口密度被限定為第二開口的數(shù)量/第二區(qū)域的面積。
透射區(qū)域和非透射區(qū)域中的每個可在第一區(qū)域中被提供為多個。
至少兩個非透射區(qū)域可彼此鄰近。
非透射區(qū)域的蝕刻部分可鄰近第一開口。
第二厚度可在第一厚度的約10%至約50%之間。
非透射區(qū)域可進一步包括鄰近蝕刻部分的第二蝕刻部分以及蝕刻部分和第二蝕刻部分之間的肋部分。
蝕刻部分和第二蝕刻部分可具有基本上相同的厚度。
肋部分和金屬薄膜可具有基本上相同的厚度。
肋部分的厚度可大于金屬薄膜的厚度的約30%,并可小于或等于金屬薄膜的厚度的約80%。
第一區(qū)域的面積可小于第二區(qū)域的面積。
根據(jù)本公開的一些實施方式,金屬掩模可包括具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的金屬薄膜,第一區(qū)域和第二區(qū)域各自限定穿透金屬薄膜的開口,其中第一區(qū)域的開口密度小于第二區(qū)域的開口密度,并且其中第一區(qū)域包括蝕刻部分,蝕刻部分鄰近第一區(qū)域的開口并且具有的厚度小于金屬薄膜的厚度。
金屬掩模可進一步包括肋部分,其中蝕刻部分被提供為多個,并且肋部分在鄰近的蝕刻部分之間。
蝕刻部分可具有基本上彼此相同的厚度。
肋部分的厚度可基本上等于金屬薄膜的厚度。
肋部分的厚度可大于金屬薄膜的厚度的約30%,并且可等于或小于金屬薄膜的厚度的約80%。
第一區(qū)域的面積可小于第二區(qū)域的面積。
第一區(qū)域可鄰近第二區(qū)域。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





