[發(fā)明專利]一種基因檢測(cè)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110244623.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113005024A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯紅偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東硯鼎電子科技有限公司
• 主分類號(hào): C12M1/34
• 分類號(hào): C12M1/34;C12M1/00
• 代理公司: 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676
• 代理人: 葉宇

本發(fā)明提供了一種基因檢測(cè)裝置，本發(fā)明利用基因配對(duì)層上方設(shè)置金屬蓋層，可以保證密封性，且利用與第一絕緣層相同材質(zhì)的第二絕緣層作為支撐層，保護(hù)該金屬蓋層。金屬蓋層的標(biāo)準(zhǔn)電位被特殊的設(shè)計(jì)，可以保護(hù)基因配對(duì)層和電極層，且金屬蓋層可以很靈活的與外部連接端子電連接，使得其與電極層的電位相同。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及智能芯片領(lǐng)域，特別是基因檢測(cè)芯片封裝領(lǐng)域，具體涉及一種基因檢測(cè)裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，利用DNA等遺傳信息的生物技術(shù)作為一大產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展起來(lái)，有關(guān)疾病的診斷，治療等新技術(shù)的開(kāi)發(fā)非常盛行，但是DNA所具有的信息量非常多，在進(jìn)行具體檢查時(shí)需要同時(shí)使用多種DNA，開(kāi)發(fā)出了多種能夠簡(jiǎn)單且迅速地檢測(cè)出目標(biāo)DNA的基因檢測(cè)芯片。

上述基因檢測(cè)芯片需要反復(fù)使用或長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)輸，且需要在水氧富裕的環(huán)境中使用較長(zhǎng)時(shí)間，對(duì)于檢測(cè)電極以及基因配對(duì)靶的可靠性不利的，水氧的存在可以對(duì)電極造成腐蝕，且會(huì)使得基因配對(duì)靶損毀。

發(fā)明內(nèi)容

基于解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基因檢測(cè)裝置的制造方法，其包括以下步驟：

(1)在基板上形成電極層，所述電極層的材質(zhì)為第一金屬；

(2)在所述電極層上覆蓋第一絕緣層，所述第一絕緣層具有多個(gè)凹槽，所述多個(gè)凹槽的底部露出所述電極層；

(3)在所述多個(gè)凹槽內(nèi)依次形成緩沖導(dǎo)電層、基因配對(duì)層和犧牲層，所述犧牲層的頂面與所述第一絕緣層的頂面齊平；

(4)在所述第一絕緣層和所述犧牲層上形成圖案化的金屬蓋層，所述金屬蓋層完全覆蓋所述多個(gè)凹槽，且所述金屬蓋層包括第二金屬；

(5)在所述金屬蓋層上覆蓋第二絕緣層，在所述第二絕緣層中形成多個(gè)第一貫通孔，所述多個(gè)第一貫通孔同時(shí)貫穿所述金屬蓋層且露出所述犧牲層；

(6)移除所述犧牲層，以使得所述基因配對(duì)層露出；

(7)形成貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述金屬蓋層的多個(gè)導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱電連接所述金屬蓋層。

其中，在步驟(5)和步驟(6)之間還包括：通過(guò)所述多個(gè)第一貫通孔濕法蝕刻所述金屬蓋層，以使得所述金屬蓋層中形成對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)第一貫通孔的多個(gè)第二貫通孔，其中，所述多個(gè)凹槽的口徑大于所述多個(gè)第二貫通孔的孔徑，所述多個(gè)第二貫通孔的孔徑大于所述第一貫通孔的孔徑。

其中，所述金屬蓋層包括叉指狀的兩個(gè)部分，每個(gè)部分包括沿著第一方向延伸的連接部和沿著第二方向延伸的多個(gè)指狀部，所述第一方向和第二方向垂直，所述多個(gè)指狀部與所述連接部連接。

其中，所述多個(gè)第二貫通孔形成于所述多個(gè)指狀部，所述導(dǎo)電柱貫穿所述連接部。

其中，所述第二金屬的標(biāo)準(zhǔn)電位低于所述第一金屬的標(biāo)準(zhǔn)電位，其中，所述第一金屬為Pt或Au，第二金屬為Cu或Al。

本發(fā)明還提供了一種基因檢測(cè)裝置，其根據(jù)上述的制造方法形成，其包括：

基板；

電極層，形成于所述基板上，且所述電極層的材質(zhì)為第一金屬；

第一絕緣層，覆蓋于在所述電極層上，所述第一絕緣層具有多個(gè)凹槽，所述多個(gè)凹槽的底部露出所述電極層；

緩沖導(dǎo)電層，形成于所述多個(gè)凹槽內(nèi)的電極層上；

基因配對(duì)層，形成于所述緩沖導(dǎo)電層上；

圖案化的金屬蓋層，形成在所述第一絕緣層上，所述金屬蓋層包括對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)凹槽的多個(gè)第二貫通孔，且所述金屬蓋層包括第二金屬；