[發明專利]一種基因檢測裝置

在審

• 申請號: 202110244623.3
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113005024A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 侯紅偉
• 申請（專利權）人: 山東硯鼎電子科技有限公司
• 主分類號: C12M1/34
• 分類號: C12M1/34;C12M1/00
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 葉宇

1.一種基因檢測裝置的制造方法，其包括以下步驟：

(1)在基板上形成電極層，所述電極層的材質為第一金屬；

(2)在所述電極層上覆蓋第一絕緣層，所述第一絕緣層具有多個凹槽，所述多個凹槽的底部露出所述電極層；

(3)在所述多個凹槽內依次形成緩沖導電層、基因配對層和犧牲層，所述犧牲層的頂面與所述第一絕緣層的頂面齊平；

(4)在所述第一絕緣層和所述犧牲層上形成圖案化的金屬蓋層，所述金屬蓋層完全覆蓋所述多個凹槽，且所述金屬蓋層包括第二金屬；

(5)在所述金屬蓋層上覆蓋第二絕緣層，在所述第二絕緣層中形成多個第一貫通孔，所述多個第一貫通孔同時貫穿所述金屬蓋層且露出所述犧牲層；

(6)移除所述犧牲層，以使得所述基因配對層露出；

(7)形成貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述金屬蓋層的多個導電柱，所述導電柱電連接所述金屬蓋層。

2.根據權利要求1所述的基因檢測裝置的制造方法，其特征在于：在步驟(5)和步驟(6)之間還包括：通過所述多個第一貫通孔濕法蝕刻所述金屬蓋層，以使得所述金屬蓋層中形成對應于所述多個第一貫通孔的多個第二貫通孔，其中，所述多個凹槽的口徑大于所述多個第二貫通孔的孔徑，所述多個第二貫通孔的孔徑大于所述第一貫通孔的孔徑。

3.根據權利要求1所述的基因檢測裝置的制造方法，其特征在于：所述金屬蓋層包括叉指狀的兩個部分，每個部分包括沿著第一方向延伸的連接部和沿著第二方向延伸的多個指狀部，所述第一方向和第二方向垂直，所述多個指狀部與所述連接部連接。

4.根據權利要求3所述的基因檢測裝置的制造方法，其特征在于：所述多個第二貫通孔形成于所述多個指狀部，所述導電柱貫穿所述連接部。

5.根據權利要求1所述的基因檢測裝置的制造方法，其特征在于：所述第二金屬的標準電位低于所述第一金屬的標準電位，其中，所述第一金屬為Pt或Au，第二金屬為Cu或Al。

6.一種基因檢測裝置，其根據權利要求1所述的制造方法形成，其包括：

基板；

電極層，形成于所述基板上，且所述電極層的材質為第一金屬；

第一絕緣層，覆蓋于在所述電極層上，所述第一絕緣層具有多個凹槽，所述多個凹槽的底部露出所述電極層；

緩沖導電層，形成于所述多個凹槽內的電極層上；

基因配對層，形成于所述緩沖導電層上；

圖案化的金屬蓋層，形成在所述第一絕緣層上，所述金屬蓋層包括對應于所述多個凹槽的多個第二貫通孔，且所述金屬蓋層包括第二金屬；

第二絕緣層，覆蓋在所述金屬蓋層上，在所述第二絕緣層中形成有對應于多個第二貫通孔的多個第一貫通孔，所述多個第一貫通孔、多個第二貫通孔與多個凹槽連通設置；

多個導電柱，貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述金屬蓋層的，且所述導電柱電連接所述金屬蓋層。

7.根據權利要求6所述的基因檢測裝置，其特征在于：所述多個凹槽的口徑大于所述多個第二貫通孔的孔徑，所述多個第二貫通孔的孔徑大于所述第一貫通孔的孔徑。

8.根據權利要求6所述的基因檢測裝置，其特征在于：所述金屬蓋層包括叉指狀的兩個部分，每個部分包括沿著第一方向延伸的連接部和沿著第二方向延伸的多個指狀部，所述第一方向和第二方向垂直，所述多個指狀部與所述連接部連接。

9.根據權利要求8所述的基因檢測裝置，其特征在于：所述多個第二貫通孔形成于所述多個指狀部，所述導電柱貫穿所述連接部。

10.根據權利要求6所述的基因檢測裝置，其特征在于：所述第二金屬的標準電位低于所述第一金屬的標準電位，其中，所述第一金屬為Pt或Au，第二金屬為Cu或Al。