[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110243878.8
• 申請(qǐng)日: 2021-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113451294A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裵德漢;樸柱勛;嚴(yán)命允;張光勇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 翟然

一種集成電路器件包括：鰭型有源區(qū)域，在襯底上沿第一水平方向延伸；柵極線(xiàn)，在鰭型有源區(qū)域上沿第二水平方向延伸；第一和第二源極/漏極區(qū)域，布置在鰭型有源區(qū)域上；第一源極/漏極接觸圖案，連接到第一源極/漏極區(qū)域并包括在豎直方向上具有第一高度的第一區(qū)段；第二源極/漏極接觸圖案，連接到第二源極/漏極區(qū)域并包括在豎直方向上具有小于第一高度的第二高度的第二區(qū)段；以及絕緣蓋線(xiàn)，在柵極線(xiàn)上沿第二水平方向延伸并包括在第一區(qū)段與第二區(qū)段之間的不對(duì)稱(chēng)蓋部分，該不對(duì)稱(chēng)蓋部分具有在第一水平方向上的可變厚度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及集成電路器件，更具體地，涉及包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成電路器件。

背景技術(shù)

隨著近來(lái)集成電路器件的按比例縮小的快速發(fā)展，可能有必要確保集成電路器件的操作的準(zhǔn)確性以及其快速的操作速度。因此，需要開(kāi)發(fā)與集成電路器件相關(guān)的用于在相對(duì)小的區(qū)域中減小布線(xiàn)和接觸所占據(jù)的面積、可靠地確保布線(xiàn)與接觸之間的絕緣距離以及提高可靠性的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種集成電路器件，其包括用于提高集成電路器件的可靠性的結(jié)構(gòu)，該集成電路器件具有通過(guò)按比例縮小而減小的器件區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式，提供了一種集成電路器件，其包括：鰭型有源區(qū)域，在襯底上沿第一水平方向延伸；柵極線(xiàn)，在鰭型有源區(qū)域上沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸；第一源極/漏極區(qū)域，在鰭型有源區(qū)域上以與柵極線(xiàn)的第一側(cè)壁相鄰；第二源極/漏極區(qū)域，在鰭型有源區(qū)域上以與柵極線(xiàn)的第二側(cè)壁相鄰，該第二側(cè)壁與第一側(cè)壁相反；第一源極/漏極接觸圖案，電連接到第一源極/漏極區(qū)域并包括第一區(qū)段，該第一區(qū)段在垂直于第一水平方向和第二水平方向的豎直方向上具有第一高度；第二源極/漏極接觸圖案，電連接到第二源極/漏極區(qū)域并包括第二區(qū)段，該第二區(qū)段在豎直方向上具有小于第一高度的第二高度；以及絕緣蓋線(xiàn)，在柵極線(xiàn)上并在第二水平方向上延伸，并且包括在第一源極/漏極接觸圖案的第一區(qū)段與第二源極/漏極接觸圖案的第二區(qū)段之間的不對(duì)稱(chēng)蓋部分，該不對(duì)稱(chēng)蓋部分在第一水平方向上具有可變厚度。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式，提供了一種集成電路器件，其包括：多個(gè)鰭型有源區(qū)域，在襯底上沿第一水平方向并彼此平行地延伸；在所述多個(gè)鰭型有源區(qū)域上的多條柵極線(xiàn)，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸；多條絕緣蓋線(xiàn)，在所述多條柵極線(xiàn)上并在第二水平方向上延伸；布置在所述多個(gè)鰭型有源區(qū)域上的多個(gè)源極/漏極區(qū)域，所述多個(gè)源極/漏極區(qū)域中的每個(gè)在所述多條柵極線(xiàn)之中的相應(yīng)的相鄰柵極線(xiàn)之間；以及多個(gè)源極/漏極接觸圖案，電連接到所述多個(gè)源極/漏極區(qū)域中的相應(yīng)源極/漏極區(qū)域，其中所述多條絕緣蓋線(xiàn)之中的至少一條絕緣蓋線(xiàn)包括在所述多個(gè)源極/漏極接觸圖案之中的相鄰的源極/漏極接觸圖案之間的不對(duì)稱(chēng)蓋部分，該不對(duì)稱(chēng)蓋部分在第一水平方向上具有可變厚度。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式，提供了一種集成電路器件，其包括：襯底，包括第一器件區(qū)域、第二器件區(qū)域以及在第一器件區(qū)域與第二器件區(qū)域之間的器件隔離區(qū)域；多個(gè)鰭型有源區(qū)域，在第一器件區(qū)域和第二器件區(qū)域中沿第一水平方向并彼此平行地延伸；柵極線(xiàn)，在第一器件區(qū)域、第二器件區(qū)域和器件隔離區(qū)域中并且在所述多個(gè)鰭型有源區(qū)域上沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸；絕緣蓋線(xiàn)，在第一器件區(qū)域、第二器件區(qū)域和器件隔離區(qū)域中并且在柵極線(xiàn)上沿第二水平方向延伸；第一對(duì)源極/漏極區(qū)域，在第一器件區(qū)域中并且分別布置在柵極線(xiàn)的兩側(cè)；以及第一對(duì)源極/漏極接觸圖案，在第一器件區(qū)域中并電連接到第一對(duì)源極/漏極區(qū)域，其中絕緣蓋線(xiàn)包括在第一對(duì)源極/漏極接觸圖案之間的不對(duì)稱(chēng)蓋部分，該不對(duì)稱(chēng)蓋部分在第一水平方向上具有可變厚度。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式將由以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述被更清楚地理解，附圖中：

圖1是根據(jù)一些實(shí)施方式的集成電路器件的平面布局圖；