[發(fā)明專利]集成電路器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110243878.8
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113451294A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裵德漢;樸柱勛;嚴(yán)命允;張光勇
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種集成電路器件，包括：

鰭型有源區(qū)域，在襯底上沿第一水平方向延伸；

柵極線，在所述鰭型有源區(qū)域上沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向延伸；

第一源極/漏極區(qū)域，在所述鰭型有源區(qū)域上并與所述柵極線的第一側(cè)壁相鄰；

第二源極/漏極區(qū)域，布置在所述鰭型有源區(qū)域上并與所述柵極線的第二側(cè)壁相鄰，所述第二側(cè)壁與所述第一側(cè)壁相反；

第一源極/漏極接觸圖案，電連接到所述第一源極/漏極區(qū)域并包括第一區(qū)段，所述第一區(qū)段在垂直于所述第一水平方向和所述第二水平方向的豎直方向上具有第一高度；

第二源極/漏極接觸圖案，電連接到所述第二源極/漏極區(qū)域并包括第二區(qū)段，所述第二區(qū)段在所述豎直方向上具有小于所述第一高度的第二高度；以及

絕緣蓋線，在所述柵極線上并在所述第二水平方向上延伸，并且包括在所述第一源極/漏極接觸圖案的所述第一區(qū)段與所述第二源極/漏極接觸圖案的所述第二區(qū)段之間的不對稱蓋部分，

其中所述不對稱蓋部分在所述第一水平方向上具有可變厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，

其中所述不對稱蓋部分在所述豎直方向上與所述鰭型有源區(qū)域重疊，以及

其中所述柵極線在所述豎直方向上在所述不對稱蓋部分與所述鰭型有源區(qū)域之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述不對稱蓋部分的所述可變厚度在所述第一水平方向上朝向所述第二源極/漏極接觸圖案的所述第二區(qū)段減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，

其中所述不對稱蓋部分的在所述第一水平方向上與所述第一源極/漏極接觸圖案的所述第一區(qū)段相鄰的第一部分比所述不對稱蓋部分的在所述第一水平方向上與所述第二區(qū)段相鄰的第二部分厚。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，

其中所述第一源極/漏極接觸圖案的所述第一區(qū)段在所述豎直方向上與所述鰭型有源區(qū)域重疊，

其中所述第一源極/漏極區(qū)域在所述豎直方向上位于所述第一源極/漏極接觸圖案的所述第一區(qū)段與所述鰭型有源區(qū)域之間，以及

其中所述第二源極/漏極接觸圖案的所述第二區(qū)段在所述豎直方向上與所述鰭型有源區(qū)域重疊，

其中所述第二源極/漏極區(qū)域在所述豎直方向上位于所述第二源極/漏極接觸圖案的所述第二區(qū)段與所述鰭型有源區(qū)域之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，

其中所述第一源極/漏極接觸圖案的所述第一區(qū)段的第一頂表面的高度在所述豎直方向上大于所述柵極線的頂表面的高度，以及

其中所述第二區(qū)段的第二頂表面的高度在所述豎直方向上小于所述柵極線的所述頂表面的所述高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，進(jìn)一步包括：

柵極接觸，穿透所述絕緣蓋線的第一部分并與所述柵極線接觸；

其中所述絕緣蓋線的所述第一部分的厚度小于所述絕緣蓋線的最大厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，進(jìn)一步包括：

掩埋絕緣膜，在所述第二源極/漏極接觸圖案的所述第二區(qū)段的頂表面上以及在所述不對稱蓋部分的一部分上；

絕緣結(jié)構(gòu)，在所述掩埋絕緣膜的頂表面上；

通路接觸，與所述掩埋絕緣膜分離，其中所述通路接觸穿透所述絕緣結(jié)構(gòu)，并與所述第一源極/漏極接觸圖案的所述第一區(qū)段的頂表面接觸；

柵極接觸，穿透所述絕緣結(jié)構(gòu)、所述掩埋絕緣膜和所述絕緣蓋線并與所述柵極線接觸；以及

柵極接觸，穿透所述絕緣蓋線的第一部分并與所述柵極線接觸；

其中所述絕緣蓋線的被所述柵極接觸穿透的部分的厚度小于所述絕緣蓋線的最大厚度。