[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110240211.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112951852A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋繼越;龔帆;艾飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與感光薄膜晶體管：

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括第一有源島，第一柵極以及第一源漏極；

所述感光薄膜晶體管包括第二有源島，第二柵極以及第二源漏極；

其中，所述第一柵極與所述第二柵極同層設(shè)置，及/或所述第一源漏極與所述第二源漏極同層設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源島的材料包括非晶硅。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源島包括非晶硅島，以及設(shè)置在所述非晶硅島上兩端的第一N型非晶硅部與第二N型非晶硅部。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

第一有源島，設(shè)置于所述基板上；

第一絕緣層，設(shè)置于所述第一有源島上；

第一金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，包括所述第一柵極與所述第二柵極；

第二絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上；

第二有源島，設(shè)置于所述第二絕緣層上；

第二金屬層，設(shè)置于所述第二絕緣層與所述第二有源島上，包括所述第一源漏極與所述第二源漏極，所述第一源漏極通過(guò)貫穿于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的第一接觸孔連接于第一有源島，所述第二源漏極連接于所述第二有源島中的所述第一N型非晶硅部與第二N型非晶硅部。

5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

第一有源島，設(shè)置于所述基板上；

第一絕緣層，設(shè)置于所述第一有源島上；

第一金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，包括所述第一柵極；

第二絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上；

第三金屬層，設(shè)置于所述第二絕緣層上，包括所述第二柵極；

第三絕緣層，設(shè)置于所述第三金屬層上；

第二有源島，設(shè)置于所述第三絕緣層上；

第二金屬層，設(shè)置于所述第三絕緣層與所述第二有源島上，包括所述第一源漏極與所述第二源漏極，所述第一源漏極通過(guò)貫穿于所述第一絕緣層、第二絕緣層與第三絕緣層的第二接觸孔連接于第一有源島，所述第二源漏極連接于所述第二有源島中的所述第一N型非晶硅部與第二N型非晶硅部。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)與非顯示區(qū)，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管設(shè)置于所述顯示區(qū)，所述感光薄膜晶體管設(shè)置于所述非顯示區(qū)。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

S110：提供一基板，在所述基板上第一有源島；

S120：在所述第一有源島上形成第一絕緣層；

S130：在所述第一絕緣層上形成第一金屬層，所述第一金屬層包括第一柵極與第二柵極；

S140：在所述第一金屬層上形成第二絕緣層；

S150：在所述第二絕緣層上形成第二有源島；

S160：形成貫穿所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的第一接觸孔，所述第一接觸孔對(duì)應(yīng)所述第一有源島設(shè)置；

S170：在所述第二絕緣層與所述第二有源島上形成第二金屬層，所述第二金屬層包括第一源漏極與第二源漏極，所述第一源漏極通過(guò)所述第一接觸孔連接于第一有源島，所述第二源漏極連接于所述第二有源島。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S50具體包括：

S151：在所述第二絕緣層上形成層疊的非晶硅薄膜與N型非晶硅薄膜；

S152：對(duì)所述非晶硅薄膜與N型非晶硅薄膜進(jìn)行圖案化工藝，以形成所述第二有源島，所述第二有源島包括非晶硅島，以及間隔設(shè)置在所述非晶硅島上兩端的第一N型非晶硅部與第二N型非晶硅部。