[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110240211.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112951852A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋繼越;龔帆;艾飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，所述陣列基板包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與感光薄膜晶體管：所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括第一有源島，第一柵極以及第一源漏極；所述感光薄膜晶體管包括第二有源島，第二柵極以及第二源漏極；其中，所述第一柵極與所述第二柵極同層設(shè)置，及/或所述第一源漏極與所述第二源漏極同層設(shè)置。在該陣列基板中，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管用于常規(guī)的驅(qū)動(dòng)顯示，所述感光薄膜晶體管用于對(duì)環(huán)境光強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)，即，將傳統(tǒng)的外掛感光裝置集成于陣列基板內(nèi)部，同時(shí)又將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與感光薄膜晶體管中的柵極與源漏極的至少一者同層設(shè)置，使得該陣列基板的制備流程簡(jiǎn)單，成本低廉，利于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

隨著面板產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，人們除了對(duì)有顯示器高分辨、寬視角、低功耗等常規(guī)需求以外，也對(duì)顯示面板提出了其它各式各樣的需求。豐富面板功能，增加人機(jī)互動(dòng)，提高顯示面板的競(jìng)爭(zhēng)力，是目前顯示面板的主要發(fā)展方向之一。

其中，環(huán)境光檢測(cè)功能可以根據(jù)外部環(huán)境的亮度自動(dòng)調(diào)節(jié)屏幕亮度，也可以根據(jù)外界的環(huán)境，在拍照時(shí)自動(dòng)打開(kāi)閃光燈或者進(jìn)行補(bǔ)光。目前，環(huán)境光感應(yīng)裝置基本都采用外掛方式，這樣無(wú)法避免地增加了制作的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝將環(huán)境光感應(yīng)裝置集成于顯示面板內(nèi)部。

為解決上述問(wèn)題，第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與感光薄膜晶體管：

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括第一有源島，第一柵極以及第一源漏極；

所述感光薄膜晶體管包括第二有源島，第二柵極以及第二源漏極；

其中，所述第一柵極與所述第二柵極同層設(shè)置，及/或所述第一源漏極與所述第二源漏極同層設(shè)置。

進(jìn)一步地，所述第二有源島的材料包括非晶硅。

進(jìn)一步地，所述第二有源島包括非晶硅島，以及設(shè)置在所述非晶硅島上兩端的第一N型非晶硅部與第二N型非晶硅部。

進(jìn)一步地，所述陣列基板包括：

基板；

第一有源島，設(shè)置于所述基板上；

第一絕緣層，設(shè)置于所述第一有源島上；

第一金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，包括所述第一柵極與所述第二柵極；

第二絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上；

第二有源島，設(shè)置于所述第二絕緣層上；

第二金屬層，設(shè)置于所述第二絕緣層與所述第二有源島上，包括所述第一源漏極與所述第二源漏極，所述第一源漏極通過(guò)貫穿于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層的第一接觸孔連接于第一有源島，所述第二源漏極連接于所述第二有源島中的所述第一N型非晶硅部與第二N型非晶硅部。

進(jìn)一步地，所述陣列基板包括：

基板；

第一有源島，設(shè)置于所述基板上；

第一絕緣層，設(shè)置于所述第一有源島上；

第一金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，包括所述第一柵極；

第二絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上；

第三金屬層，設(shè)置于所述第二絕緣層上，包括所述第二柵極；

第三絕緣層，設(shè)置于所述第三金屬層上；

第二有源島，設(shè)置于所述第三絕緣層上；