[發明專利]一種200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法

有效

• 申請號: 202110239923.2
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN112975586B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;章麗娜
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

本發明提供一種200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，所述研磨方法包括：對研磨機、研磨液以及研磨產品進行準備；將所述研磨產品安裝至所述研磨機，并對所述研磨產品進行研磨加工；對所述研磨機進行保養。所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果，使得PPS表面產生鏡面效果，增加CMP Ring的研磨使用次數。

技術領域

本發明屬于化學機械拋光領域，涉及一種PPS大平面研磨方法，尤其涉及一種200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法。

背景技術

化學機械拋光(CMP)是一種被普遍使用的平面化方法，在化學機械拋光時，拋光頭夾持著晶圓，并將晶圓壓緊在拋光墊上。晶圓在拋光時容納在拋光頭上的保持環之中，保持環起著容納和定位晶圓的作用。在拋光過程中，拋光液和去離子水不斷的與保持環接觸，因此保持環需要具有一定的耐腐蝕性。

CN211103391U公開了一種化學機械研磨環，該化學機械研磨環包含第一環形部與第二環形部，第一環形部的材質可以是不銹鋼，第二環形部的材質可以是高階塑料，例如PPS(聚苯硫醚)。第二環形部包含內環面、外環面與下表面，其中下表面位于內環面與外環面之間。第二環形部還包含多個排水溝槽，各排水溝槽具有內開口、外開口、下開口與槽底面，內開口位于內環面，外開口位于外環面，下開口位于下表面，槽底面相對于下開口，其中各排水溝槽的截面的寬度自下開口朝槽底面漸擴。CN109420969A公開了一種研磨頭和化學機械研磨裝置，所述研磨頭包括限位環，所述限位環與研磨墊相接觸的面設置為曲面。該研磨頭和化學機械研磨裝置，有效改善了化學機械研磨過程中，限位環與研磨墊接觸時產生的應力集中，減少了限位環對研磨墊的刮擦損傷，從而改善了半導體晶圓的化學機械研磨質量，有效提升了產品良率，同時也減少了生產成本。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供一種200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果，使得PPS表面產生鏡面效果，增加CMP Ring的研磨使用次數。

為達到上述技術效果，本發明采用以下技術方案：

本發明提供一種200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，所述研磨方法包括：

對研磨機、研磨液以及研磨產品進行準備；

將所述研磨產品安裝至所述研磨機，并對所述研磨產品進行研磨加工；

對所述研磨機進行保養。

本發明中，通過建立標準化的研磨流程和方法，有效提高了PPS大平面研磨的效率，提升了CMP Ring的研磨使用次數。同時通過研磨參數的合理設定，提高了PPS大平面的研磨效果，使其具有優異的鏡面效果。

作為本發明優選的技術方案，所述研磨機的準備包括研磨液導管安裝、研磨機清洗以及研磨機參數設置。

本發明中，所述研磨液導管安裝包括：將導管套入蠕動泵的安裝槽內，然后按下卡扣，把鎖緊搖桿從左邊搖到右邊進行鎖緊。

本發明中，所述研磨機清洗包括：將導管進水口放在盛有干凈清水的量杯中，出水口放在另一個量杯中，開啟設備空運行，先用DISK打磨至少5min，然后清水沖洗至少5min。

本發明中，研磨盤表面清洗完成后，將研磨墊安裝，研磨墊與研磨盤需同心安裝，且粘貼后中間無鼓包產生。

作為本發明優選的技術方案，所述參數設置包括壓力設置、轉速設置、蠕動泵設置以及研磨時間設置。

作為本發明優選的技術方案，所述壓力包括工作壓力以及主壓力。