[發明專利]一種自對準像素定義層結構及其加工方法

在審

• 申請號: 202110239350.3
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN112750889A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 呂迅
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 曹政

本發明公開了一種自對準像素定義層結構及其加工方法，具有：襯底；陽極，襯底上設有一系列的陽極，相鄰陽極之間有間隙；像素定義層，填充相鄰陽極之間的間隙；像素定義層的側壁與陽極的側壁平齊；像素定義層通過干刻成型，不占用陽極區域，不影響開口面積，有利于提高發光亮度；節省一道光刻工藝，工藝更簡單，成本更低。

技術領域

本發明屬于微顯示屏技術領域，尤其涉及一種自對準像素定義層結構及其加工方法。

背景技術

在顯示中，像素定義層(PDL)被用來定義像素區域，隔離像素，防止光學串擾和電學串擾。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：一般使用光刻加刻蝕的工藝，為了避免光刻對位偏差導致的偏位，PDL和陽極有一定的重疊(overlap)，重疊區域大小大于對位精度至少0.2-0.3um左右。對于微顯示，因為陽極像素面積很小，overlap占用一部分發光區域，會導致開口面積損失約30％，導致發光效率降低，亮度降低。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種不占用陽極區域，不影響開口面積，有利于提高發光亮度；節省一道光刻工藝，工藝更簡單，成本更低的自對準像素定義層結構及其加工方法。

為了解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案是：一種自對準像素定義層結構，具有：

襯底；

陽極，所述襯底上設有一系列的陽極，相鄰陽極之間有間隙；

像素定義層，填充相鄰陽極之間的間隙；所述像素定義層的側壁與陽極的側壁平齊；所述像素定義層通過干刻成型。

所述像素定義層材質包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

一種上述的自對準像素定義層結構的加工方法，包括如下步驟：

1)在襯底上制備陽極；

2)在襯底和陽極上沉積像素定義層；

3)干刻像素定義層，干刻過程中，陽極側壁的像素定義層會保留下來；

4)干刻減薄陽極，形成沉積像素定義層凹槽，最終形成像素定義層定義的陽極結構。

上述技術方案中的一個技術方案具有如下優點或有益效果，不占用陽極區域，不影響開口面積，有利于提高發光亮度；節省一道光刻工藝，工藝更簡單，成本更低。

附圖說明

圖1為本發明實施例中提供的自對準像素定義層結構的結構示意圖；

圖2為圖1的自對準像素定義層結構的加工工藝流程圖；

上述圖中的標記均為：1、襯底，2、陽極，3、像素定義層。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。

參見圖1-2，一種自對準像素定義層結構，具有：

襯底；

陽極，襯底上設有一系列的陽極，相鄰陽極之間有間隙；

像素定義層，填充相鄰陽極之間的間隙；像素定義層的側壁與陽極的側壁平齊；像素定義層通過干刻成型。

像素定義層材質包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。