[發(fā)明專利]一種自對準像素定義層結構及其加工方法

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• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN112750889A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設計）人: 呂迅
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產(chǎn)權代理有限公司 34107
• 代理人: 曹政

1.一種自對準像素定義層結構，其特征在于，具有：

襯底；

陽極，所述襯底上設有一系列的陽極，相鄰陽極之間有間隙；

像素定義層，填充相鄰陽極之間的間隙；所述像素定義層的側壁與陽極的側壁平齊；所述像素定義層通過干刻成型。

2.如權利要求1所述的自對準像素定義層結構，其特征在于，所述像素定義層材質包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

3.一種如權利要求1-2所述的自對準像素定義層結構的加工方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)在襯底上制備陽極；

2)在襯底和陽極上沉積像素定義層；

3)干刻像素定義層，干刻過程中，陽極側壁的像素定義層會保留下來；

4)干刻減薄陽極，形成沉積像素定義層凹槽，最終形成像素定義層定義的陽極結構。

4.如權利要求3所述的自對準像素定義層結構的加工方法，其特征在于，上述第1)步包括陽極沉積、光刻、刻蝕、剝離，包括如下步驟：

a)PVD依次沉積ITO-底層、Al、ITO-頂層，厚度分別為100-500A、500-2000A、500-5000A，其中ITO沉積參數(shù)為：ITO靶材，壓力10-1000mT，功率500-5000W，Ar氣體流量10-100sccm，溫度20-50℃，時間20-200s；Al沉積參數(shù)：Al靶材，壓力10-500mT，功率500-2000W，Ar氣體流量10-100sccm，室溫，時間20-200s；

b)光刻機陽極光刻，涂膠：1-5um光刻膠，曝光：100-1000mj能量，顯影：顯影液顯影60-300s；

c)干刻機刻蝕陽極，干刻參數(shù)：壓力10-100mT，功率100-2000W，Ar流量10-100sccm，HBr流量10-100sccm，Cl₂流量10-100sccm，溫度20-70℃，時間20-200s；

d)剝離機剝離光刻膠，剝離液剝離100-1000s，溫度30-80℃。

5.如權利要求4所述的自對準像素定義層結構的加工方法，其特征在于，上述第2)步中，CVD沉積氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，厚度500-5000A，氮化硅沉積參數(shù)：壓力10-100mT，功率200-2000W，SiH₄流量10-200sccm，NH₃流量10-100sccm，溫度200-400℃，時間10-100s；氧化硅沉積參數(shù)：壓力10-100mT，功率200-2000W，SiH₄流量10-200sccm，N₂O流量10-5000sccm，溫度200-400℃，時間10-100s；氮氧化硅沉積參數(shù)：壓力10-100mT，功率200-2000W，SiH₄流量10-200sccm，N₂O流量10-400sccm，溫度200-400℃，時間10-100s。

6.如權利要求5所述的自對準像素定義層結構的加工方法，其特征在于，上述第3)步中，干刻機刻蝕氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，刻蝕厚度500-5000A；干刻參數(shù)：壓力10-100mT，功率100-2000W，Ar氣體流量10-100sccm，CHF₃氣體流量10-100sccm，O₂氣體流量10-100sccm，溫度20-70℃，時間100-2000s。

7.如權利要求6所述的自對準像素定義層結構的加工方法，其特征在于，上述第4)步中，干刻機刻蝕減薄ITO；刻蝕減薄頂層ITO 300-3000A，干刻參數(shù)：壓力10-100mT，功率100-1000W，Ar氣體流量10-100sccm，Cl₂氣體流量10-100sccm，HBr氣體流量10-100sccm，溫度20-70℃，時間20-200s。