[發明專利]一種疊層金屬和金屬氧化物蝕刻液組合物及其使用方法

有效

• 申請號: 202110239107.1
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113046747B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 徐帥;張紅偉;李闖;胡天齊;錢鐵民
• 申請（專利權）人: 四川和晟達電子科技有限公司;江蘇和達電子科技有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26;C23F1/44;C09K13/08
• 代理公司: 上海微策知識產權代理事務所(普通合伙) 31333
• 代理人: 湯俊明

本發明提供一種疊層金屬和金屬氧化物蝕刻液組合物及其使用方法，原料包括：按質量百分數計，過氧化氫5?20％，無機酸1?10％，氟離子源0.01?1％，絡合劑1?10％，堿類化合物1?10％，金屬緩蝕劑0.01?1％，溶劑補充余量。本發明提供一種疊層金屬和金屬氧化物蝕刻液組合物及其使用方法不僅能有效蝕刻疊層金屬和金屬氧化物，而且蝕刻形貌好，蝕刻精度高，能有效滿足客戶的要求。

技術領域

本發明涉及金屬表面化學處理領域，具體涉及一種疊層金屬和金屬氧化物蝕刻液組合物及其使用方法。

背景技術

銅因其具有良好的導電性、導熱性和機械延展性等優點而被廣泛應用于電子信息產品領域，銅金屬蝕刻技術也因此得到迅速發展。但隨著科學技術的發展和人們生活水平的提高，人們對電子材料的提出了更高的要求，疊層金屬是改善和提高銅金屬在電子材料應用領域重要技術之一，但由于不同膜層之間金屬成分不同，不同金屬膜層間容易因電化學反應產生裂縫，會導致斷線存在倒角，導致后續工藝爬坡斷線，影響良率。

同時，隨著國際平板顯示領域競爭的白熱化，各面板企業對縮短生產流程的需求日益強烈。一種新型制造工藝4mask(4道光罩工藝)得到了眾多企業的青睞。IGZO和金屬導線(SD)層同步蝕刻是一種較為理想的工藝。但是IGZO和金屬導線(Cu)的化學和電化學性質差異較大，對藥液開發工作造成了很大困難。

為解決上述問題，本發明提供一種疊層金屬和金屬氧化物蝕刻液組合物及其使用方法，不僅能有效蝕刻疊層金屬和IGZO膜層，而且蝕刻形貌好，蝕刻精度高，能有效滿足客戶的要求，同時對基板的電學性能無損傷。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明的第一個方面提供了一種疊層金屬和金屬氧化物(IGZO)蝕刻液組合物，原料包括：按質量百分數計，過氧化氫5-20％，無機酸1-10％，氟離子源0.01-1％，絡合劑1-10％，堿類化合物1-10％，金屬緩蝕劑0.01-1％，溶劑補充余量。

作為一種優選的技術方案，原料包括：按質量百分數計，過氧化氫6-10％，無機酸1-3％，氟離子源0.01-0.5％，絡合劑2-5％，堿類化合物2-5％，金屬緩蝕劑0.05-0.8％，溶劑補充余量。

作為一種優選的技術方案，所述無機酸包括硫酸、硝酸的一種或幾種。

作為一種優選的技術方案，所述氟離子源包括HF、氟化鹽的一種或幾種。

作為一種優選的技術方案，所述氟化鹽包括氟化銨、氟化氫銨、氟化鉀、氟化鈉的一種或幾種。

作為一種優選的技術方案，所述絡合劑為多元醇類絡合劑。

作為更進一步的一種優選的技術方案，所述多元醇類絡合劑包括乙二醇、丙三醇、三甘醇、季戊四醇、丙二醇、二甘醇的一種或幾種。

作為一種優選的技術方案，所述堿類化合物包括氨水、有機堿的一種或幾種。

作為一種優選的技術方案，所述有機堿包括胺類、醇胺類化合物的一種或幾種。

作為更進一步的一種優選的技術方案，所述有機堿包括四甲基氫氧化銨、甲胺、乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、異丙醇胺的一種或幾種。

作為一種優選的技術方案，所述金屬緩蝕劑選自氨基氮唑類化合物。

作為一種優選的技術方案，所述氨基氮唑類化合物包括3-氨基三氮唑、5-氨基四氮唑的一種或幾種。

作為一種優選的技術方案，所述溶劑為去離子水。

本發明的第二個方面提供了一種疊層金屬和金屬氧化物(IGZO)蝕刻液組合物的使用方法，在一定蝕刻溫度下，在一定蝕刻溫度下，加入蝕刻液于藥液箱中，以噴淋的形式均勻噴灑玻璃基板的金屬表面。