[發(fā)明專(zhuān)利]太陽(yáng)能電池制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110238073.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113036002B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 請(qǐng)求不公布姓名 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 蘇州聯(lián)諾太陽(yáng)能科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭鳳杰 |
| 地址: | 215000 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池制備方法,包括:提供襯底;對(duì)襯底進(jìn)行制絨并進(jìn)行第一次清洗,形成制絨片;對(duì)制絨片進(jìn)行劃片,形成劃片槽;對(duì)經(jīng)過(guò)劃片后的制絨片進(jìn)行第二次清洗,去除劃片時(shí)產(chǎn)生的熔渣;在經(jīng)過(guò)劃片以及第二次清洗后的制絨片上形成電池膜層,從而形成電池片;沿劃片槽對(duì)電池片進(jìn)行裂片,形成多片太陽(yáng)能電池。本申請(qǐng)可以有效提高電池效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種太陽(yáng)能電池制備方法。
背景技術(shù)
隨著大尺寸硅片的推廣,降低內(nèi)部損耗是最有效的技術(shù)實(shí)施路線,而低內(nèi)耗的切片電池組件(半片、拼片、疊瓦等組件產(chǎn)品)技術(shù)在規(guī)模話應(yīng)用中具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。
但是,目前行業(yè)內(nèi)常用太陽(yáng)能電池片切片技術(shù)主要為兩項(xiàng):常規(guī)激光劃片技術(shù)、無(wú)損激光劃片技術(shù)。而劃半片后,太陽(yáng)能電池片效率會(huì)有損失,如常規(guī)鈍化發(fā)射極及背局域接觸電池(PERC電池)效率損失≤0.15%,太陽(yáng)能電池效率損失≤0.3%。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的太陽(yáng)能電池片效率會(huì)在劃片后產(chǎn)生損失的問(wèn)題提供一種太陽(yáng)能電池制備方法。
一種太陽(yáng)能電池制備方法,其特征在于,包括:
提供襯底;
對(duì)所述襯底進(jìn)行制絨并進(jìn)行第一次清洗,形成制絨片;
對(duì)所述制絨片進(jìn)行劃片,形成劃片槽;
對(duì)經(jīng)過(guò)劃片后的所述制絨片進(jìn)行第二次清洗,去除劃片時(shí)產(chǎn)生的熔渣;
在經(jīng)過(guò)劃片以及第二次清洗后的所述制絨片上形成電池膜層,從而形成電池片;
沿所述劃片槽對(duì)所述電池片進(jìn)行裂片,形成多片所述太陽(yáng)能電池。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,對(duì)經(jīng)過(guò)劃片后的所述制絨片進(jìn)行第二次清洗,去除劃片時(shí)產(chǎn)生的熔渣的同時(shí),還去除劃片時(shí)產(chǎn)生的微裂紋。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述襯底為硅片,所述第二次清洗的清洗液包括CP溶液。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述清洗液還包括SC1溶液、SC2溶液以及DHF溶液。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述對(duì)經(jīng)過(guò)劃片后的所述制絨片進(jìn)行第二次清洗,包括:
將經(jīng)過(guò)劃片后的所述制絨片依次放入所述SC1溶液、SC2溶液、CP溶液以及DHF溶液中進(jìn)行清洗。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述劃片槽的深度小于等于所述襯底厚度的90%。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述劃片槽的深度小于等于所述襯底厚度的50%。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述劃片槽的數(shù)量大于兩個(gè)時(shí),位于中間區(qū)域的所述劃片槽的深度大于位于邊緣區(qū)域的所述劃片槽的深度。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,各所述劃片槽的深度由中間向兩邊逐漸降低。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述在經(jīng)過(guò)劃片以及第二次清洗后的所述制絨片上形成電池膜層,從而形成電池片,包括:
在經(jīng)過(guò)劃片、清洗后的所述制絨片上形成非晶硅膜層,所述非晶硅膜層與所述制絨片形成異質(zhì)結(jié);
在所述非晶硅膜層上形成透明導(dǎo)電膜層;
在所述透明導(dǎo)電膜層上形成電極層。
上述太陽(yáng)能電池制備方法,在對(duì)襯底進(jìn)行制絨后,對(duì)制絨片進(jìn)行激光劃片,并在劃片后進(jìn)行第二次清洗,將激光劃片產(chǎn)生的熔渣有效去除,從而可以有效防止激光劃片降低電池效率。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于蘇州聯(lián)諾太陽(yáng)能科技有限公司,未經(jīng)蘇州聯(lián)諾太陽(yáng)能科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110238073.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





