[發明專利]一種電化學沉積金屬圖形的方法及設備在審
| 申請號: | 202110237208.5 | 申請日: | 2021-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN112864281A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 陳偉文;楊與勝 | 申請(專利權)人: | 福建金石能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 張磊 |
| 地址: | 362200 福建省泉州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電化學 沉積 金屬 圖形 方法 設備 | ||
1.一種電化學沉積金屬圖形的方法,其特征在于:它具體步驟包括
A.水平排片:將基片沿輸送方向依序水平排布;
B.貼膜成串:將導電帶和感光膜帶貼合在經步驟A水平排片處理的基片上,使基片成串;
C.水平曝光:基片經步驟B貼膜成串處理后,對每個基片區域進行曝光,完成圖形轉移;
D.顯影成形:將經步驟C水平曝光處理的基片進行水平顯影,感光膜帶在基片上形成帶有待電化學沉積的鏤空圖形的干膜;
E.電化學沉積:將經步驟D顯影成形處理的基片水平送入電化學沉積設備,通過導電帶連接電化學沉積設備的陰極,和電化學沉積設備的陽極形成導電閉環,進行水平電化學沉積;
F.退膜蝕刻:將經步驟E電化學沉積處理的基片進行干膜去除,并回收導電帶;
G.清潔成品:將經步驟F退膜蝕刻處理的基片進行清洗并干燥。
2.根據權利要求1所述的一種電化學沉積金屬圖形的方法,其特征在于:所述步驟B貼膜成串的具體方法為,將兩條沿輸送方向延伸的導電帶分別貼設于基片表面兩側,然后感光膜帶貼合在基片表面,包覆基片和導電帶;或者,所述貼膜成串的具體方法為,將導電帶和感光膜帶同時貼合在基片表面,感光膜帶完全包覆基片,導電帶位于感光膜帶和基片之間,兩條沿輸送方向延伸的導電帶分別貼設于基片表面兩側;所述導電帶與基片的接觸寬度小于1.5mm。
3.根據權利要求1所述的一種電化學沉積金屬圖形的方法,其特征在于:所述步驟C水平曝光的具體方法為,基片水平傳送到曝光設備中,進行曝光區域定位后,進行曝光,之后撕去感光膜帶的保護膜。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的一種電化學沉積金屬圖形的方法,其特征在于:所述步驟B貼膜成串、步驟C水平曝光、步驟D顯影成形、步驟E電化學沉積、步驟F退膜蝕刻均是在基片的上下表面同步處理,使得基片上下表面同時完成金屬圖形的電化學沉積。
5.一種應用權利要求1-4任意一項所述的電化學沉積金屬圖形方法的設備,其特征在于:
它包括貼膜設備、與貼膜設備出片端相連的曝光設備、與曝光設備出片端相連的顯影設備、與顯影設備出片端相連的金屬沉積設備、與金屬沉積設備出片端相連的退膜蝕刻設備以及與退膜蝕刻設備出片端相連的清潔設備;所述貼膜設備包括沿輸送方向延伸且能分別貼設于待沉積金屬圖形基片表面兩側的導電帶。
6.根據權利要求5所述的一種電化學沉積金屬圖形的設備,其特征在于:所述貼膜設備包括延伸方向與基片輸送方向垂直的壓膜輥組。
7.根據權利要求5所述的一種電化學沉積金屬圖形的設備,其特征在于:所述導電帶為銅箔或鋁箔或其他具有較好導電性的金屬帶,厚度為25-100um之間,寬度為5-20mm。
8.根據權利要求5所述的一種電化學沉積金屬圖形的設備,其特征在于:所述曝光設備包括設于曝光設備出片端的卷對卷撕膜組件。
9.根據權利要求5-8任意一項所述的一種電化學沉積金屬圖形的設備,其特征在于:所述金屬沉積設備包括金屬沉積槽、設于金屬沉積槽中部的沉積傳輸組件、與導電帶固定連接的陰極固定組件以及水平設于金屬沉積槽上部和下部的陽極組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





