[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 202110236077.9
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN113035699B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發明（設計）人: 伍林;趙志超
• 申請（專利權）人: 廣州粵芯半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 羅磊

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上依次形成有柵氧化層及柵極材料層，所述柵極材料層上形成有介電抗反射層，所述柵極材料層為多晶硅層；

進行具有第一偏置電壓和第一工藝時間的主刻蝕，刻蝕部分厚度的所述柵極材料層；以及

進行具有第二偏置電壓和第二工藝時間的著陸刻蝕，刻蝕剩余的所述柵極材料層以形成柵極；

其中，所述主刻蝕之前還包括預刻蝕，以形成圖案化的介電抗反射層，所述主刻蝕和所述著陸刻蝕均為干法刻蝕，所述主刻蝕的過程中所述柵極材料層對所述柵氧化層的第一選擇比小于所述著陸刻蝕的過程中所述柵極材料層對所述柵氧化層的第二選擇比，所述主刻蝕和所述著陸刻蝕的工藝氣體均包括刻蝕氣體和聚合物氣體，且所述刻蝕氣體包括氯氣和溴化氫，所述聚合物氣體包括氧氣，所述主刻蝕中氯氣和溴化氫的流量的比值小于所述著陸刻蝕中氯氣和溴化氫的流量的比值，所述主刻蝕中氧氣的流量大于所述著陸刻蝕中氧氣的流量。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一工藝時間為40s~60s，所述第二工藝時間為15s~25s。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一偏置電壓的范圍為150V~250V，所述第二偏置電壓的范圍為100V~150V。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一選擇比的范圍為100~150，所述第二選擇比的范圍為150~200。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述主刻蝕中所述氯氣的氣體流量為70sccm~90sccm，所述溴化氫的氣體流量為350sccm~370sccm，所述氧氣的氣體流量為5sccm~7sccm；所述著陸刻蝕中所述氯氣的氣體流量為100sccm~130sccm，所述溴化氫的氣體流量為310sccm~340sccm，所述氧氣的氣體流量為3sccm~5sccm。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述著陸刻蝕后還包括過刻蝕，以去除所述柵氧化層上殘留的所述柵極材料層。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體器件的制造方法用于制造圖像傳感器。