[發明專利]系統級封裝方法及結構

在審

• 申請號: 202110234001.2
• 申請日: 2021-03-03
• 公開（公告）號: CN113161303A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 陳巧霞;高周偉;陳天兵;劉神;戴玲麗;黃彬倩
• 申請（專利權）人: 江蘇蘇益電器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 上海和華啟核知識產權代理有限公司 31339
• 代理人: 趙祖祥

本發明揭示了一種系統級封裝方法及結構。包括基板，貼片MOS，所述基板上具有基板焊墊，所述貼片MOS具有源極焊墊，所述基板焊墊與所述源極焊墊之間通過多跟引線連接。由此采用常規引線即可實現對源極大電流的施加，結構簡單，效果優良，節省了成本。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種系統級封裝方法及結構。

背景技術

半導體封裝是整個半導體工藝過程中極為重要的一部分，封裝質量的好壞直接決定了產品是否能夠流入市場。

根據不同的產品需求，有時會需要在器件中引入較大的電流，但是這種電流通常是超過一般引線材料的熔斷電流，致使難以完成封裝。一種可能的接近方案是改變引線材料，研發新的引線，但這無疑大大的增加了成本。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種系統級封裝方法及結構，采用簡單的引線實現大電流器件的封裝。

為解決上述技術問題，根據本發明的第一方面，提供一種系統級封裝結構，包括：

基板，貼片MOS，所述基板上具有基板焊墊，所述貼片MOS具有源極焊墊，所述基板焊墊與所述源極焊墊之間通過多跟引線連接。

可選的，對于所述的系統級封裝結構，相鄰引線間距大于等于所述引線的直徑。

可選的，對于所述的系統級封裝結構，所述貼片MOS的源極可接入的電流大于等于3安培。

可選的，對于所述的系統級封裝結構，所述源極焊墊包括分布有多個間隔設置的凸起，所述引線焊接在所述凸起上。

根據本發明的第二方面，提供一種系統級封裝方法，包括：

將多跟引線逐一焊接在一個貼片MOS的源極焊墊與基板的基板焊墊之間。

可選的，對于所述的系統級封裝方法，采用激光焊接工藝進行焊接。

可選的，對于所述的系統級封裝方法，在將多跟引線逐一焊接在一個貼片MOS的源極焊墊與基板的基板焊墊之間之前，還包括：

將所述源極焊墊制備呈包括多個間隔設置的凸起的結構。

可選的，對于所述的系統級封裝方法，將所述引線焊接在所述凸起上。

本發明提供的系統級封裝方法及結構中，將基板焊墊與源極焊墊之間通過多跟引線連接，由此采用常規引線即可實現對源極大電流的施加，結構簡單，效果優良，極大的節省了成本。

附圖說明

圖1為本發明實施例中系統級封裝結構的示意圖；

圖2為本發明實施例中源極焊墊的示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的系統級封裝方法及結構進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

請參考圖1，本發明提供一種系統級封裝結構，包括：

基板1，貼片MOS，所述基板上具有基板焊墊3，所述貼片MOS具有源極焊墊2，所述基板焊墊3與所述源極焊墊2之間通過多跟引線4連接。

其中貼片MOS與基板1的設置為本領域技術人員所熟知，本發明中不進行詳述，也未在圖中對貼片MOS進行示意。