[發明專利]系統級封裝方法及結構在審
| 申請號： | 202110234001.2 | 申請日： | 2021-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN113161303A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發明（設計）人： | 陳巧霞;高周偉;陳天兵;劉神;戴玲麗;黃彬倩 | 申請（專利權）人： | 江蘇蘇益電器股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海和華啟核知識產權代理有限公司 31339 | 代理人： | 趙祖祥 |
| 地址： | 223001 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 系統 封裝 方法 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種系統級封裝結構，其特征在于，包括：
基板，貼片MOS，所述基板上具有基板焊墊，所述貼片MOS具有源極焊墊，所述基板焊墊與所述源極焊墊之間通過多跟引線連接。
2.如權利要求1所述的系統級封裝結構，其特征在于，相鄰引線間距大于等于所述引線的直徑。
3.如權利要求1所述的系統級封裝結構，其特征在于，所述貼片MOS的源極可接入的電流大于等于3安培。
4.如權利要求1所述的系統級封裝結構，其特征在于，所述源極焊墊包括分布有多個間隔設置的凸起，所述引線焊接在所述凸起上。
5.一種系統級封裝方法，其特征在于，包括：
將多跟引線逐一焊接在一個貼片MOS的源極焊墊與基板的基板焊墊之間。
6.如權利要求5所述的系統級封裝方法，其特征在于，采用激光焊接工藝進行焊接。
7.如權利要求5所述的系統級封裝方法，其特征在于，在將多跟引線逐一焊接在一個貼片MOS的源極焊墊與基板的基板焊墊之間之前，還包括：
將所述源極焊墊制備呈包括多個間隔設置的凸起的結構。
8.如權利要求7所述的系統級封裝方法，其特征在于，將所述引線焊接在所述凸起上。
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