[發(fā)明專利]一種提升轉(zhuǎn)移良率的芯片轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110228522.7 | 申請日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN113013068B | 公開(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛水源;莊文榮;孫明;付小朝 | 申請(專利權(quán))人: | 東莞市中麒光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;劉光明 |
| 地址: | 523000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提升 轉(zhuǎn)移 芯片 方法 | ||
本發(fā)明公開一種提升轉(zhuǎn)移良率的芯片轉(zhuǎn)移方法,其采用設(shè)有壓力檢測件的轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu),通過該轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)拿取待轉(zhuǎn)移的芯片并承載該芯片朝轉(zhuǎn)接板運(yùn)動預(yù)設(shè)距離,并通過其上的壓力檢測件檢測該芯片與轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)之間的壓力來確認(rèn)芯片是否正常轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)接板,若感測到預(yù)設(shè)壓力值,驅(qū)使轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)回原;反之,通過轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)承載該芯片繼續(xù)朝轉(zhuǎn)接板運(yùn)動進(jìn)行距離補(bǔ)償直至壓力檢測件感測到預(yù)設(shè)壓力值;然后,將轉(zhuǎn)接板上的芯片的電極與基板上的焊盤電極對位并焊接固定。本發(fā)明可以有效避免因轉(zhuǎn)接板翹曲、芯片厚度差異或者藍(lán)膜變形導(dǎo)致轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)接板上的芯片陣列出現(xiàn)漏芯等問題,從而避免基板漏芯的等情形,提高了芯片轉(zhuǎn)移良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及LED芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種提升轉(zhuǎn)移良率的芯片轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)
Mini-LED和Micro-LED因具有功耗低、亮度高、發(fā)光效率好且輕薄等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為未來顯示技術(shù)的主流趨勢。
目前,在Mini-LED和Micro-LED的制程工藝中,需要首先通過轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)將芯片轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)接板,然后再將轉(zhuǎn)接板上的芯片轉(zhuǎn)移至基板。在這過程中,由于存在轉(zhuǎn)接板翹曲、芯片厚度差異或者承接待轉(zhuǎn)移芯片的藍(lán)膜變形等情況,芯片轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)接板時,容易出現(xiàn)漏芯和雙胞等問題,嚴(yán)重影響了后續(xù)轉(zhuǎn)接板上的芯片與基板上的焊盤電極的焊接良率。這就導(dǎo)致了需要耗費(fèi)大量時間返修,降低了工作效率。
因此,有必要提供一種可以提升轉(zhuǎn)移良率的芯片轉(zhuǎn)移方法,以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以提升轉(zhuǎn)移良率的芯片轉(zhuǎn)移方法,以減少后續(xù)返修。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種提升轉(zhuǎn)移良率的芯片轉(zhuǎn)移方法,包括:
(1)提供表面具有焊盤的基板、涂有粘膠的轉(zhuǎn)接板以及轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu),其中,所述轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)上裝設(shè)有壓力檢測件;
(2)采用所述轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)拿取待轉(zhuǎn)移的芯片并承載該芯片朝所述轉(zhuǎn)接板運(yùn)動預(yù)設(shè)距離,并通過其上的壓力檢測件檢測該芯片與所述轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)之間的壓力,若感測到預(yù)設(shè)壓力值,執(zhí)行步驟(4);若未感測到所述預(yù)設(shè)壓力值,執(zhí)行步驟(3);
(3)承載該芯片繼續(xù)朝所述轉(zhuǎn)接板運(yùn)動直至所述壓力檢測件感測到所述預(yù)設(shè)壓力值后執(zhí)行步驟(4);
(4)驅(qū)使所述轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)回原;
(5)重復(fù)步驟(2)-(4),直至完成將芯片轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)接板;
(6)將所述轉(zhuǎn)接板上的芯片的電極與所述基板上的焊盤電極對位并焊接固定。
較佳地,在步驟(2)中,“承載待該芯片朝所述轉(zhuǎn)接板運(yùn)動預(yù)設(shè)距離”具體為:以第一速度承載芯片朝所述轉(zhuǎn)接板運(yùn)動第一距離,所述第一距離對應(yīng)于該芯片未接觸所述轉(zhuǎn)接板的粘膠時的位置點(diǎn);以第二速度承載該芯片繼續(xù)朝所述轉(zhuǎn)接板運(yùn)動第二距離,所述第二速度小于所述第一速度,所述預(yù)設(shè)距離等于所述第一距離與所述第二距離之和。
較佳地,所述轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)通過頂針承載芯片,所述頂針上設(shè)有所述壓力檢測件。
較佳地,在承載芯片朝所述轉(zhuǎn)接板運(yùn)動預(yù)設(shè)距離之前,還包括:通過光學(xué)檢測裝置獲取所述轉(zhuǎn)接板上的芯片放置位與芯片的位置在水平方向的偏移量;根據(jù)所述偏移量調(diào)整所述轉(zhuǎn)接板或所述芯片使該芯片的位置對應(yīng)相應(yīng)的芯片放置位。
較佳地,在步驟(4)之前,還通過光學(xué)檢測裝置采集所述轉(zhuǎn)接板的圖像信息以判斷該芯片是否準(zhǔn)確轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)接板。
較佳地,當(dāng)且僅當(dāng)芯片準(zhǔn)確轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)接板時,執(zhí)行步驟(4)。
較佳地,在步驟(6)之前,還包括:通過光學(xué)檢測裝置檢測所述焊盤的厚度,并根據(jù)所述焊盤的厚度調(diào)整所述轉(zhuǎn)接板與所述基板之間的距離以使各芯片的電極分別與所述基板上對應(yīng)的焊盤電極穩(wěn)定接觸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東莞市中麒光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)東莞市中麒光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110228522.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 轉(zhuǎn)移支撐件及轉(zhuǎn)移模塊
- 轉(zhuǎn)移頭及其制備方法、轉(zhuǎn)移方法、轉(zhuǎn)移裝置
- 器件轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移設(shè)備和轉(zhuǎn)移系統(tǒng)
- 轉(zhuǎn)移基板及制備方法、轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移裝置與轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移系統(tǒng)和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移膜、轉(zhuǎn)移組件和微器件曲面轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移工具及轉(zhuǎn)移方法





