[發明專利]一種提升轉移良率的芯片轉移方法有效
| 申請號: | 202110228522.7 | 申請日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN113013068B | 公開(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發明(設計)人: | 薛水源;莊文榮;孫明;付小朝 | 申請(專利權)人: | 東莞市中麒光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;劉光明 |
| 地址: | 523000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提升 轉移 芯片 方法 | ||
本發明公開一種提升轉移良率的芯片轉移方法,其采用設有壓力檢測件的轉移結構,通過該轉移結構拿取待轉移的芯片并承載該芯片朝轉接板運動預設距離,并通過其上的壓力檢測件檢測該芯片與轉移結構之間的壓力來確認芯片是否正常轉移至轉接板,若感測到預設壓力值,驅使轉移結構回原;反之,通過轉移結構承載該芯片繼續朝轉接板運動進行距離補償直至壓力檢測件感測到預設壓力值;然后,將轉接板上的芯片的電極與基板上的焊盤電極對位并焊接固定。本發明可以有效避免因轉接板翹曲、芯片厚度差異或者藍膜變形導致轉移至轉接板上的芯片陣列出現漏芯等問題,從而避免基板漏芯的等情形,提高了芯片轉移良率。
技術領域
本發明涉及LED芯片轉移技術領域,具體涉及一種提升轉移良率的芯片轉移方法。
背景技術
Mini-LED和Micro-LED因具有功耗低、亮度高、發光效率好且輕薄等優點,已經成為未來顯示技術的主流趨勢。
目前,在Mini-LED和Micro-LED的制程工藝中,需要首先通過轉移機構將芯片轉移至轉接板,然后再將轉接板上的芯片轉移至基板。在這過程中,由于存在轉接板翹曲、芯片厚度差異或者承接待轉移芯片的藍膜變形等情況,芯片轉移至轉接板時,容易出現漏芯和雙胞等問題,嚴重影響了后續轉接板上的芯片與基板上的焊盤電極的焊接良率。這就導致了需要耗費大量時間返修,降低了工作效率。
因此,有必要提供一種可以提升轉移良率的芯片轉移方法,以解決上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種可以提升轉移良率的芯片轉移方法,以減少后續返修。
為實現上述目的,本發明提供了一種提升轉移良率的芯片轉移方法,包括:
(1)提供表面具有焊盤的基板、涂有粘膠的轉接板以及轉移結構,其中,所述轉移結構上裝設有壓力檢測件;
(2)采用所述轉移結構拿取待轉移的芯片并承載該芯片朝所述轉接板運動預設距離,并通過其上的壓力檢測件檢測該芯片與所述轉移結構之間的壓力,若感測到預設壓力值,執行步驟(4);若未感測到所述預設壓力值,執行步驟(3);
(3)承載該芯片繼續朝所述轉接板運動直至所述壓力檢測件感測到所述預設壓力值后執行步驟(4);
(4)驅使所述轉移結構回原;
(5)重復步驟(2)-(4),直至完成將芯片轉移至所述轉接板;
(6)將所述轉接板上的芯片的電極與所述基板上的焊盤電極對位并焊接固定。
較佳地,在步驟(2)中,“承載待該芯片朝所述轉接板運動預設距離”具體為:以第一速度承載芯片朝所述轉接板運動第一距離,所述第一距離對應于該芯片未接觸所述轉接板的粘膠時的位置點;以第二速度承載該芯片繼續朝所述轉接板運動第二距離,所述第二速度小于所述第一速度,所述預設距離等于所述第一距離與所述第二距離之和。
較佳地,所述轉移結構通過頂針承載芯片,所述頂針上設有所述壓力檢測件。
較佳地,在承載芯片朝所述轉接板運動預設距離之前,還包括:通過光學檢測裝置獲取所述轉接板上的芯片放置位與芯片的位置在水平方向的偏移量;根據所述偏移量調整所述轉接板或所述芯片使該芯片的位置對應相應的芯片放置位。
較佳地,在步驟(4)之前,還通過光學檢測裝置采集所述轉接板的圖像信息以判斷該芯片是否準確轉移至所述轉接板。
較佳地,當且僅當芯片準確轉移至所述轉接板時,執行步驟(4)。
較佳地,在步驟(6)之前,還包括:通過光學檢測裝置檢測所述焊盤的厚度,并根據所述焊盤的厚度調整所述轉接板與所述基板之間的距離以使各芯片的電極分別與所述基板上對應的焊盤電極穩定接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





