[發明專利]基片處理裝置和導電性配管劣化程度判斷方法

在審

• 申請號: 202110228339.7
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN113380662A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 飯野正
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供能夠容易高精度地檢測導電性配管的導電性的劣化的基片處理裝置和導電性配管劣化程度判斷方法。基片處理裝置包括：基片保持部；噴嘴部；對噴嘴部供給處理液的導電性配管；將導電性配管與基準電位連接的接地線；設置在基片保持部的周圍的液接收部，其接收從噴嘴部釋放的液體；和用于測量導電性配管的導電性的劣化程度的劣化程度測量部，劣化程度測量部包括：對導電性配管供給測量用液體，從噴嘴部釋放測量用液體的測量用液體供給部；對液接收部的接液面與基準電位之間施加電位差的電位差施加部；電流計，其在將測量用液體從噴嘴部釋放到液接收部時，測量流過在液接收部的接液面與接地線之間經由測量用液體建立的電荷移動路徑的電流值。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置和判斷導電性配管的劣化程度的方法。

背景技術

半導體裝置的制造工藝中包含通過從噴嘴對基片供給處理液而對基片實施液處理的液處理工序。從防止處理液導致的損傷和防止流過配管內部的處理液的摩擦導致的帶電的觀點出發，作為對噴嘴供給處理液的配管，通常使用在PFA等的氟類樹脂組裝有條紋形狀的碳等的導電性部件的導電性配管(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-278972號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供容易高精度地檢測導電性配管的導電性的劣化的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的基片處理裝置的一個實施方式包括：處理基片的基片保持部；對保持于上述基片保持部的基片釋放處理液的噴嘴部；與上述噴嘴部連接的導電性配管，其對上述噴嘴部供給處理液；將上述導電性配管與基準電位連接的接地線；設置在上述基片保持部的周圍的液接收部，其接收從上述噴嘴部釋放的液體；和劣化程度測量部，其用于測量上述導電性配管的導電性的劣化程度，上述劣化程度測量部包括：測量用液體供給部，其對上述導電性配管供給測量用液體，使上述測量用液體從上述噴嘴部釋放；對上述液接收部的接液面與上述基準電位之間施加電位差的電位差施加部；和電流計，其在將上述測量用液體從上述噴嘴部釋放到上述液接收部時，測量流過電荷移動路徑的電流的電流值，其中上述電荷移動路徑是在上述液接收部的接液面與上述接地線之間經由上述測量用液體而建立的。

發明效果

依照本發明，能夠容易高精度地檢測導電性配管的導電性的劣化。

附圖說明

圖1是一實施方式的基片處理裝置的橫截面圖。

圖2是表示處理單元中包含的劣化程度測量部的第一實施方式的結構的概要圖。

圖3是表示導電性配管的內部構造的一個例子的截面圖。

圖4是表示電極附近的結構的截面圖。

圖5是表示用于測量劣化程度的步驟的時序圖。

圖6A是表示用于測量劣化程度的步驟的概要圖。

圖6B是表示用于測量劣化程度的步驟的概要圖。

圖6C是表示用于測量劣化程度的步驟的概要圖。

圖6D是表示用于測量劣化程度的步驟的概要圖。

圖6E是表示用于測量劣化程度的步驟的概要圖。

圖6F是表示用于測量劣化程度的步驟的概要圖。

圖7A是表示用于說明劣化程度的測量條件的圖表。

圖7B是表示用于說明劣化程度的測量條件的圖表。