[發明專利]基片處理裝置和導電性配管劣化程度判斷方法

在審

• 申請號: 202110228339.7
• 申請日: 2021-03-02
• 公開（公告）號: CN113380662A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 飯野正
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

處理基片的基片保持部；

對保持于所述基片保持部的基片釋放處理液的噴嘴部；

與所述噴嘴部連接的導電性配管，其對所述噴嘴部供給處理液；

將所述導電性配管與基準電位連接的接地線；

設置在所述基片保持部的周圍的液接收部，其接收從所述噴嘴部釋放的液體；和

劣化程度測量部，其用于測量所述導電性配管的導電性的劣化程度，

所述劣化程度測量部包括：

測量用液體供給部，其對所述導電性配管供給測量用液體，使所述測量用液體從所述噴嘴部釋放；

對所述液接收部的接液面與所述基準電位之間施加電位差的電位差施加部；和

電流計，其在將所述測量用液體從所述噴嘴部釋放到所述液接收部時，測量流過電荷移動路徑的電流的電流值，其中所述電荷移動路徑是在所述液接收部的接液面與所述接地線之間經由所述測量用液體而建立的。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述液接收部由電介質材料構成，

所述電位差施加部包括：

靠近所述液接收部設置的電極；和

對所述電極施加電壓的電壓施加部，

所述電流計設置在所述接地線，

在從所述噴嘴部釋放到液接收部的所述測量用液體通過所述液接收部時，用所述電流計測量流過所述接地線的感應電流。

3.如權利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于：

在所述接地線設置有電阻。

4.如權利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述電位差施加部還包括切換裝置，所述切換裝置能夠至少實現所述電極與所述電壓施加部電連接且不與基準電位電連接的狀態、和所述電極不與所述電壓施加部電連接且與基準電位電連接的狀態。

5.如權利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述切換裝置包括：

將所述電壓施加部與所述電極連接的第一導電線路；

設置于所述第一導電線路的第一開關；

將所述電極與基準電位連接的第二導電線路；和

設置于所述第二導電線路的第二開關。

6.如權利要求5所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述第一開關和第二開關是B接點形式的開關。

7.如權利要求2至6中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括測量所述電極的電位的電位計。

8.如權利要求5所述的基片處理裝置，其特征在于：

在所述第二導電線路設置有電阻。

9.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述液接收部由導電性材料構成，

由作為所述電位差施加部的直流電源和所述電流計構成電阻計，

所述電阻計的第一端子與所述接地線電連接，所述電阻計的第二端子與由導電性材料構成的所述液接收部連接。

10.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述噴嘴部由所述導電性配管的前端部構成，或者由安裝于所述導電性配管的與所述導電性配管分體的部件構成。

11.一種劣化程度判斷方法，其特征在于：

在基片處理裝置中判斷所述導電性配管的導電性的劣化程度，

所述基片處理裝置包括：

處理基片的基片保持部；

對保持于所述基片保持部的基片釋放處理液的噴嘴部；

與所述噴嘴部連接的導電性配管，其對所述噴嘴部供給處理液；

將所述導電性配管與基準電位連接的接地線；和

設置在所述基片保持部的周圍的液接收部，其接收從所述噴嘴部釋放的液體，

所述劣化程度判斷方法包括：

對所述液接收部的接液面與所述基準電位之間施加電位差的步驟；

對所述導電性配管供給測量用液體，使所述測量用液體從所述噴嘴部釋放到液接收部的步驟；和

在將所述測量用液體從所述噴嘴部釋放到所述液接收部時，測量流過電荷移動路徑的電流的電流值的步驟，其中所述電荷移動路徑是在所述液接收部的接液面與所述接地線之間經由所述測量用液體而建立的。