[發明專利]一種管靶材及其用途在審
| 申請號: | 202110227697.6 | 申請日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN113025971A | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;侯娟華 | 申請(專利權)人: | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C4/067;C23C4/16 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 王巖 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 管靶材 及其 用途 | ||
本發明提供一種管靶材及其用途,所述管靶材包括管體及內孔,所述內孔兩端分別設置有第一螺孔和第二螺孔,所述第一螺孔內設置有第一螺紋,所述第二螺孔內設置有第二螺紋,所述管體側面設置有鉻硅合金層;所述管靶材結構簡單,易加工,將所述管靶材應用于濺射鍍膜中,使用效果良好能夠滿足更高層次的要求,延長了使用壽命。
技術領域
本發明涉及靶材技術領域,尤其涉及一種管靶材及其用途。
背景技術
濺射鍍膜技術是用離子轟擊靶材表面,把靶材的原子被擊出的現象稱為濺射。濺射產生的原子沉積在基體表面成膜稱為濺射鍍膜。通常是利用氣體放電產生氣體電離,其正離子在電場作用下高速轟擊陰極靶體,擊出陰極靶體原子或分子,飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。
濺射靶材是半導體集成電路制備過程中重要的原材料之一,靶材的材質主要包括Al、Ni、Cu、Ti、W、貴金屬及其合金等,主要用于集成電路中接觸、通孔、互連線、阻擋層、封裝等物理氣相沉積薄膜的制備。濺射過程中,用加速的離子轟擊靶材表面使表面的原子沉積在基底表面。靶材在使用過程中,靶材的使用壽命是重要因素。
CN211443406U公開了一種旋轉濺射靶材管口保護裝置,管口保護裝置包括一用于蓋合旋轉濺射靶材的管口的環蓋,環蓋的內側壁與旋轉濺射靶材管口的外側壁之間設置有緊固結構,環蓋通過緊固結構緊固連接于旋轉濺射靶材的管口,環蓋的外側朝中心凸出成型有凸肩,凸肩的內側與旋轉濺射靶材的管口面抵頂配合,但結構較復雜。
CN211388351U公開了一種用于噴砂設備的TFT平面濺射靶材保護結構,保護結構包括有緊貼于TFT平面濺射靶材的基片的上表面的第一保護層、貼附于基片的側面的第二保護層以及包裹設置于TFT平面濺射靶材的背板兩端部的第三保護層。其中,第一保護層完全覆蓋于基片的上表面;第二保護層沿基片的邊緣方向閉合設置,第二保護層的底邊平齊于背板的綁定面,第二保護層的上邊包覆于第一保護層的邊緣;在背板的綁定面,兩個第三保護層的內側邊與第二保護層的底邊包圍形成噴砂區,但結構較復雜。
CN211972432U公開了一種平面濺射靶材,包括主板、固定孔和滑道,所述主板的下方固定有延伸板,所述固定孔的上方安置有限位塊,所述滑道的內部固定有限位塊,所述安裝板的內部安置有固定機構,所述主板的后方固定有背板,且背板的表面設置有水槽,但結構較復雜。
因此,有必要開發一種結構簡單,能夠適用于濺射鍍膜設備,使用效果良好的靶材,有廣泛的應用前景。
發明內容
鑒于現有技術中存在的問題,本發明提供一種管靶材,所述管靶材包括管體及內孔,內孔兩端分別設置有第一螺孔和第二螺孔,第一螺孔內設置有第一螺紋,第二螺孔內設置有第二螺紋,所述管體側面設置有鉻硅合金層,所述管靶材結構簡單,易加工,將所述管靶材應用于濺射鍍膜中,使用效果良好能夠滿足更高層次的要求,延長了使用壽命。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
第一方面,本發明提供一種管靶材,其特征在于,所述管靶材包括管體及內孔;所述內孔兩端分別設置有第一螺孔和第二螺孔;所述第一螺孔內設置有第一螺紋;所述第二螺孔內設置有第二螺紋;所述管體側面設置有鉻硅合金層。
本發明中管靶材應用于濺射鍍膜中,使用效果良好,設置有內孔能夠裝配磁鐵和冷卻裝置,從而實現產品的濺射功能,第一螺孔與第二螺孔起到固定的作用,管體側面設置有鉻硅合金層,是為了更好實現濺射鍍膜的作用,因為管靶材不是平面,表面無法焊接或者焊接工藝困難,噴涂鉻硅合金層是為了應對管靶材的復雜結構,從而代替焊接。
優選地,所述管靶材的材質包括SUS304不銹鋼。
優選地,所述管體的外徑為65~75mm,例如可以是65mm、66mm、67mm、68mm、69mm、70mm、71mm、72mm、73mm、74mm或75mm等。
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