[發(fā)明專利]顯示屏及無機(jī)封裝層制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110227447.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113036053B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳耀燕;劉蘇偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 成都極刻智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐維虎 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示屏 無機(jī) 封裝 制作方法 | ||
1.一種顯示屏,其特征在于,所述顯示屏包括有效顯示區(qū)及位于所述有效顯示區(qū)四周的非顯示區(qū),所述顯示屏還包括基板、發(fā)光器件層、封裝層及加熱部件;
所述基板包括位于所述有效顯示區(qū)的第一基板區(qū)及位于所述非顯示區(qū)的第二基板區(qū);
所述發(fā)光器件層位于所述第一基板區(qū)上;
所述封裝層覆蓋在所述發(fā)光器件層上;
所述加熱部件位于所述非顯示區(qū),所述加熱部件在連接外部電源信號(hào)時(shí)對(duì)位于所述非顯示區(qū)的封裝層進(jìn)行加熱;
所述封裝層包括第一無機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層及第二無機(jī)封裝層;
所述第一無機(jī)封裝層覆蓋在所述發(fā)光器件層上;
所述有機(jī)封裝層位于所述第一無機(jī)封裝層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè),其中,所述發(fā)光器件層在所述基板上的正投影位于所述有機(jī)封裝層在所述基板上的正投影中;
所述第二無機(jī)封裝層覆蓋在所述有機(jī)封裝層上;
所述第一無機(jī)封裝層和/或第二無機(jī)封裝層為包括多個(gè)膜層的復(fù)合膜層;
所述復(fù)合膜層包括膜層厚度互補(bǔ)的相鄰膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,所述加熱部件分布于所述有效顯示區(qū)外,且位于所述非顯示區(qū)遠(yuǎn)離所述有效顯示區(qū)的一側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,所述加熱部件包括金屬導(dǎo)線,所述加熱部件與所述顯示屏中的金屬電極均絕緣隔離。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示屏,其特征在于,所述顯示屏還包括絕緣隔離的兩導(dǎo)電焊盤,所述加熱部件的兩端分別與該兩導(dǎo)電焊盤連接。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,所述第一無機(jī)封裝層在所述非顯示區(qū)的厚度與所述第一無機(jī)封裝層在所述有效顯示區(qū)的厚度之間的差值在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi);
所述第二無機(jī)封裝層在所述非顯示區(qū)的厚度與所述第二無機(jī)封裝層在所述有效顯示區(qū)的厚度之間的差值在所述預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,所述相鄰膜層中的一膜層的中間膜層厚度大于四周膜層厚度,所述相鄰膜層中的另一膜層的中間膜層厚度小于四周膜層厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,所述有機(jī)封裝層在所述基板上的正投影與所述加熱部件在所述基板上的正投影不重合;
所述第一無機(jī)封裝層及所述第二無機(jī)封裝層在所述基板上的正投影與所述加熱部件在所述基板上的正投影至少部分重合。
8.一種無機(jī)封裝層制作方法,應(yīng)用于制作權(quán)利要求6所述的顯示屏中的相鄰膜層,其特征在于,所述方法包括:
加大擴(kuò)散等離子體的濃度,增大成膜等離子體沿所述擴(kuò)散等離子體的擴(kuò)散方向的濃度,制作得到相鄰膜層中的一膜層,其中,所述擴(kuò)散等離子體的擴(kuò)散方向與所述成膜等離子體的擴(kuò)散方向垂直;
降低所述擴(kuò)散等離子體的濃度,減弱成膜等離子體沿所述擴(kuò)散等離子體的擴(kuò)散方向的濃度,制作得到相鄰膜層中的另一膜層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





