[發明專利]晶體電光開關及其制作方法有效
| 申請號: | 202110227397.8 | 申請日: | 2021-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN113031315B | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發明(設計)人: | 王世武;李建宏;聶奕;黃波 | 申請(專利權)人: | 青島海泰光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/03 | 分類號: | G02F1/03;H01S3/115 |
| 代理公司: | 青島海知譽知識產權代理事務所(普通合伙) 37290 | 代理人: | 張曉琳 |
| 地址: | 266107 山東省青島*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體 電光 開關 及其 制作方法 | ||
本發明提出一種晶體電光開關及其制作方法。晶體電光開關包括主體部分,具體包括電光晶體主體,沿其軸向兩側端面為晶體第一透光面和晶體第二透光面;凝膠膜:包括設置在第一透光面的第一凝膠膜和設置在第二透光面的第二凝膠膜;窗口片:包括第一窗口片和第二窗口片,每個窗口片均包括第一端面和與第一端面相對的第二端面,第一窗口片的第一端面側設置在第一凝膠膜側,第二窗口片的第一端面側設置在第二凝膠膜側;沿第一窗口片的外周側和第二窗口片的外周側設置有金屬電極膜。晶體電光開關的制作方法,對兩窗口片增加凝膠膜和金屬電極后與晶體主體粘接,通過在晶體主體兩側增加凝膠膜,避免晶體主體與水分子接觸,解決晶體電光開關潮解問題。
技術領域
本發明涉及激光器件技術領域,尤其涉及一種晶體電光開關及其制作方法。
背景技術
DKDP電光晶體電光開關是利用DKDP電光晶體的電光效應制成電光Q開光器件。采用DKDP電光晶體制成的電光Q開關具有插入損耗低,消光比高,電光效應性能好,轉換效率高等優勢,常應用于低重復頻率的脈沖固體激光器中。
然而,DKDP電光晶體具有易潮解的特性,使得其在作為電光開關應用中受到限制。傳統工藝通常采用DKDP電光晶體腔抽真空或充氮氣的手段,解決該晶體制成的電光開關器件的易潮解的問題。然而,此手段不能阻止空氣中的水分子緩慢進入DKDP電光晶體腔中的過程,因此,該手段只是延長該晶體所致成電光開關器件的使用壽命。其次,傳統工藝將金屬電極直接鍍制在DKDP電光晶體兩端,在鍍制金屬膜的過程中極易導致晶體潮解。在使用過程中,由于金屬膜間距受限,對該金屬膜加電壓,所形成電場均勻性差,使得該工藝制成的DKDP電光晶體電光開關動態消光比不高。
發明內容
本發明的目的在于解決以上技術問題之一,在結構和工藝方面改進DKDP電光晶體電光開關相關技術,提高晶體電光開關的抗潮解特性和高消光比。
為了達到上述目的,本發明采用的技術方案為:
本發明一些實施例中,提供一種晶體電光開關,包括開關主體,所述開關主體包括:
電光晶體主體,沿其軸向兩側端面為晶體第一透光面和晶體第二透光面;
凝膠膜:包括設置在第一透光面的第一凝膠膜和設置在第二透光面的第二凝膠膜;
窗口片:包括第一窗口片和第二窗口片,每個窗口片均包括第一端面和與第一端面相對的第二端面,第一窗口片的第一端面側設置在第一凝膠膜側,第二窗口片的第一端面側設置在第二凝膠膜側;
沿第一窗口片的外周側和第二窗口片的外周側設置有金屬電極膜。
如權利要求1所述的晶體電光開關,其特征在于:第一窗口片的第二端面側和和第二窗口片的第二端面側均設置有增透膜。
本發明一些實施例中:所述晶體光電開關還包括殼體,包括殼體腔,主體部分可插入至殼體腔內;殼體上設置有電極柱,所述電極柱的位置被配置為,當主體部分插入殼體腔后,兩個電極柱分別與第一窗口片的金屬電極膜及第二窗口片的金屬電極膜連接。
本發明一些實施例中:第一凝膠膜覆蓋第一透光面,第二凝膠膜覆蓋第二透光面,第一凝膠膜和第二凝膠膜的厚度均小于0.002毫米,第一凝膠膜和第二凝膠膜的厚度差小于0.001毫米。
本發明一些實施例中:第一透光面和第二透光面的平面度均小于λ8;
第一窗口片的第一端面及第二窗口片的第一端面的平面度均小于λ8;
其中λ為測量平面度所采用的激光波長。
本發明一些實施例中:設定折射率閾值,電光晶體主體、凝膠膜、窗口片三者中,任意兩者之間折射率的差均在折射率閾值范圍內。
本發明一些實施例中:進一步提供一種晶體電光開關的制作方法,用于上述晶體電光開關的制作,包括以下步驟:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于青島海泰光電技術有限公司,未經青島海泰光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110227397.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





