[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110227106.5
• 申請日: 2021-03-01
• 公開（公告）號: CN113540022A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設計）人: 中川翔
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/66
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發(fā)明提供一種半導體裝置及其制造方法，在進行修調時修調元件的周邊受到損傷的情況下，能夠在制造工序中的試驗中進行排除，從而能夠提高質量。包括以下工序：在半導體基板(1)的內部或者上方形成熔斷電阻(3)；在熔斷電阻(3)上形成絕緣膜(4)；在絕緣膜(4)上形成經由貫通絕緣膜(4)的第一接觸區(qū)(5a)來與熔斷電阻(3)的一端連接的第一布線(6a)；在絕緣膜(4)上形成經由貫通絕緣膜(4)的第二接觸區(qū)(5b)來與熔斷電阻(3)的另一端連接的第二布線(6b)；對熔斷電阻(3)進行修調；以及在進行修調的工序之后，進行半導體基板(1)與第一布線(6a)或者第二布線(6b)之間的絕緣狀態(tài)的試驗。

技術領域

本發(fā)明涉及一種具有修調電路的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

在半導體集成電路(IC)的功能的切換、特性的調整中，使用修調電路(參照專利文獻1～4)。在進行修調時，從外部對修調電路中的修調元件施加電應力，使修調元件邏輯反轉。例如，在修調元件為熔斷電阻的情況下，將熔斷電阻熔斷來使熔斷電阻的端子間從短路(short)狀態(tài)變化為開路(open)狀態(tài)。在修調元件為齊納擊穿二極管(Zener zap diode)的情況下，利用雪崩電流在pn結處引起短路破壞，從而使齊納擊穿二極管的端子間從開路狀態(tài)變化為短路狀態(tài)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-110326號公報

專利文獻2：國際公開第2009/104343號

專利文獻3：日本特開2011-222691號公報

專利文獻4：日本特開2008-288280號公報

發(fā)明內容

發(fā)明要解決的問題

在進行修調時對修調元件施加電應力，因此修調元件的周邊有可能受到損傷。在該損傷是IC立即變?yōu)椴粍幼鞯募墑e的損傷的情況下，能夠在之后的制造工序中的試驗中檢測出來并排除不良產品。然而，在該損傷是作為IC的動作而言正常這樣的潛在的級別的損傷的情況下，無法在之后的制造工序中的試驗中檢測出來。修調元件的周邊的這樣的潛在性損傷有可能在市場上等的使用過程中顯露，從而質量下降。

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種在進行修調時修調元件的周邊受到損傷的情況下能夠在制造工序中的試驗中進行排除從而能夠提高質量的半導體裝置及其制造方法。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的一個方式的主旨為一種半導體裝置，具備：(a)修調元件，其設置于半導體基板的內部或者上方；(b)絕緣膜，其配置在修調元件上；(c)第一布線，其配置在絕緣膜上，經由貫通絕緣膜的第一接觸區(qū)來與修調元件的一端連接；(d)第二布線，其配置在絕緣膜上，經由貫通絕緣膜的第二接觸區(qū)來與修調元件的另一端連接；(e)輔助布線，其配置于絕緣膜上的與修調元件的中央部重疊的位置。

本發(fā)明的其它方式的主旨為一種半導體裝置，具備：(a)修調元件，其設置于半導體基板的內部或者上方；(b)絕緣膜，其配置在修調元件上；(c)第一布線，其配置在絕緣膜上，經由貫通絕緣膜的第一接觸區(qū)來與修調元件的一端連接；(d)第二布線，其配置在絕緣膜上，經由貫通絕緣膜的第二接觸區(qū)來與修調元件的另一端連接；(e)檢查用焊盤，其與半導體基板連接。