[發明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 202110227106.5 | 申請日： | 2021-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN113540022A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 中川翔 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
修調元件，其設置于半導體基板的內部或者上方；
絕緣膜，其配置在所述修調元件上；
第一布線，其配置在所述絕緣膜上，經由貫通所述絕緣膜的第一接觸區來與所述修調元件的一端連接；
第二布線，其配置在所述絕緣膜上，經由貫通所述絕緣膜的第二接觸區來與所述修調元件的另一端連接；以及
輔助布線，其配置于所述絕緣膜上的與所述修調元件的中央部重疊的位置。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述修調元件的修調后，進行所述輔助布線與所述第一布線或者所述第二布線之間的絕緣狀態的試驗。
3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述修調元件由隔著絕緣膜設置于所述半導體基板的上方的熔斷電阻構成。
4.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述修調元件由設置于所述半導體基板的內部的齊納二極管構成。
5.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
修調元件，其設置于半導體基板的內部或者上方；
絕緣膜，其配置在所述修調元件上；
第一布線，其配置在所述絕緣膜上，經由貫通所述絕緣膜的第一接觸區來與所述修調元件的一端連接；
第二布線，其配置在所述絕緣膜上，經由貫通所述絕緣膜的第二接觸區來與所述修調元件的另一端連接；以及
檢查用焊盤，其與所述半導體基板連接。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述修調元件的修調后，進行所述檢查用焊盤與所述第一布線或者所述第二布線之間的絕緣狀態的試驗。
7.根據權利要求5或者6所述的半導體裝置，其特征在于，
所述修調元件由隔著絕緣膜設置于所述半導體基板的上方的熔斷電阻構成。
8.根據權利要求5或者6所述的半導體裝置，其特征在于，
所述修調元件由設置于所述半導體基板的內部的齊納二極管構成。
9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
在半導體基板的內部或者上方形成修調元件；
在所述修調元件上形成絕緣膜；
在所述絕緣膜上形成經由貫通所述絕緣膜的第一接觸區來與所述修調元件的一端連接的第一布線；
在所述絕緣膜上形成經由貫通所述絕緣膜的第二接觸區來與所述修調元件的另一端連接的第二布線；
對所述修調元件進行修調；以及
在所述進行修調的工序之后，進行所述半導體基板與所述第一布線或者所述第二布線之間的絕緣狀態的試驗。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在進行所述絕緣狀態的試驗的工序中，進行連接于所述半導體基板的下表面的基板端子與所述第一布線或者所述第二布線之間的所述絕緣狀態的試驗。
11.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在進行所述絕緣狀態的試驗的工序中，進行連接于所述半導體基板的上表面的檢查用焊盤與所述第一布線或者所述第二布線之間的絕緣狀態的試驗。
12.根據權利要求9～11中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括以下工序：
在所述絕緣膜上的與所述修調元件的中央部重疊的位置形成輔助布線；以及
在所述進行修調的工序之后，進行所述輔助布線與所述第一布線或者所述第二布線之間的絕緣狀態的試驗。
13.根據權利要求9～12中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述修調元件由隔著絕緣膜設置于所述半導體基板的上方的熔斷電阻構成。
14.根據權利要求9～12中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述修調元件由設置于所述半導體基板的內部的齊納二極管構成。
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