[發(fā)明專利]一種用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110226801.X
• 申請(qǐng)日: 2021-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN113054074B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊梅慧;鐘文馗;林偉瀚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 康佳集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L25/16;H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 謝松;朱陽(yáng)波

本發(fā)明公開了一種用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，包括：提供第一襯底，在所述第一襯底上設(shè)置LED芯片，使所述LED芯片的電極背離所述第一襯底設(shè)置；在所述第一襯底背向所述LED芯片的一面刻蝕形成LED微結(jié)構(gòu)；提供一驅(qū)動(dòng)基板，將蝕刻完成的所述LED芯片與所述驅(qū)動(dòng)基板對(duì)位，所述LED芯片的電極朝向所述驅(qū)動(dòng)基板；將所述LED微結(jié)構(gòu)斷裂；所述LED芯片轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)動(dòng)基板。解決了現(xiàn)有技術(shù)中LED微結(jié)構(gòu)巨量轉(zhuǎn)移的良率低和效率低的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法。

背景技術(shù)

LED是新一代顯示技術(shù)，比現(xiàn)有的OLED亮度更高、發(fā)光效率更好，功耗更低，需求量越來(lái)越多。

LED技術(shù)，即LED微縮化和矩陣化技術(shù)。指的是在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，如LED顯示屏每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可看成是戶外LED顯示屏的微縮版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)。

LED的優(yōu)異性能眾所周知，但其也存在一個(gè)卡脖子的難題，那就是LED的核心技術(shù)是納米級(jí)LED的轉(zhuǎn)運(yùn)，即巨量轉(zhuǎn)移。因?yàn)長(zhǎng)ED微器件必須先在藍(lán)寶石類的基板上通過(guò)分子束外延的生長(zhǎng)出來(lái)，通過(guò)半導(dǎo)體制程做成芯片。但若使LED芯片做成顯示器，必須要LED芯片轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)基板上。

目前有兩大方向轉(zhuǎn)移方式：第一種是使用半導(dǎo)體制程整合技術(shù),將LED芯片直接鍵結(jié)于基板上,即wafer(外延片)與wafer之間的bonding(鍵合)技術(shù)，此種方式需要兩套半導(dǎo)體襯底,成本高昂,且只適用于4英寸及以下的小尺寸基板；第二大方向是使用pick-and-place(拾取放置轉(zhuǎn)移)技術(shù)，將LED陣列上的像素分別轉(zhuǎn)移到極板上，如靜電法，印章法，滾輪法等，技術(shù)均還不成熟，良率低。

如何使LED芯片擁有特殊的結(jié)構(gòu)和工藝，來(lái)提高巨量轉(zhuǎn)移的良率和效率，是目前大家在鉆研攻克的問(wèn)題點(diǎn)。因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中提高LED微結(jié)構(gòu)巨量轉(zhuǎn)移的良率低和效率低的問(wèn)題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，包括：

提供第一襯底，在所述第一襯底上設(shè)置LED芯片，使所述LED芯片的電極背離所述第一襯底設(shè)置；

在所述第一襯底背向所述LED芯片的一面刻蝕形成LED微結(jié)構(gòu)；

提供一驅(qū)動(dòng)基板，將蝕刻完成的所述LED芯片與所述驅(qū)動(dòng)基板對(duì)位，所述LED芯片的電極朝向所述驅(qū)動(dòng)基板；

將所述LED微結(jié)構(gòu)斷裂；

所述LED芯片轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)動(dòng)基板。

進(jìn)一步，所述在所述第一襯底背向所述LED芯片的一面刻蝕形成LED微結(jié)構(gòu)的步驟中，所述LED微結(jié)構(gòu)包括：

在所述第一襯底背離所述LED芯片的表面上刻蝕出的蝕刻槽，所述蝕刻槽的側(cè)壁上凸出形成支撐部，所述支撐部背離所述蝕刻槽的側(cè)壁的一端連接所述LED芯片。

進(jìn)一步，所述支撐部上連接所述LED芯片的一端蝕刻形成圓弧面，所述圓弧面的圓心位于所述圓弧面朝向所述蝕刻槽中心的一側(cè)。

進(jìn)一步，所述支撐部包括：

支撐橋部，所述支撐橋部凸出于所述蝕刻槽的側(cè)壁并朝向所述蝕刻槽的中心延伸，所述支撐橋部連接于所述LED芯片的邊緣；

支撐島部，所述支撐島部在第一襯底上環(huán)繞于多個(gè)所述蝕刻槽，并連接于多個(gè)所述支撐橋部。

進(jìn)一步，所述提供一驅(qū)動(dòng)基板的步驟之前，還包括：