[發(fā)明專利]一種用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110226801.X | 申請(qǐng)日： | 2021-03-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113054074B | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊梅慧;鐘文馗;林偉瀚 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 康佳集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/48 | 分類號(hào)： | H01L33/48;H01L25/16;H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 謝松;朱陽波 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 led 芯片 巨量 轉(zhuǎn)移 方法 | ||
1.一種用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括：
提供第一襯底，在所述第一襯底上設(shè)置LED芯片，使所述LED芯片的電極背離所述第一襯底設(shè)置；
在所述第一襯底背向所述LED芯片的一面刻蝕形成LED微結(jié)構(gòu)，所述LED微結(jié)構(gòu)包括:在所述第一襯底背離所述LED芯片的表面上刻蝕出蝕刻槽，所述蝕刻槽的側(cè)壁上凸出形成支撐部，所述支撐部背離所述蝕刻槽的側(cè)壁的一端連接所述LED芯片；
提供一驅(qū)動(dòng)基板，將蝕刻完成的所述LED芯片與所述驅(qū)動(dòng)基板對(duì)位，所述LED芯片的電極朝向所述驅(qū)動(dòng)基板；
將所述LED微結(jié)構(gòu)斷裂；
所述LED芯片轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)動(dòng)基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述支撐部上連接所述LED芯片的一端蝕刻形成圓弧面，所述圓弧面的圓心位于所述圓弧面朝向所述蝕刻槽中心的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述支撐部包括：
支撐橋部，所述支撐橋部凸出于所述蝕刻槽的側(cè)壁并朝向所述蝕刻槽的中心延伸，所述支撐橋部連接于所述LED芯片的邊緣；
支撐島部，所述支撐島部在第一襯底上環(huán)繞于多個(gè)所述蝕刻槽，并連接于多個(gè)所述支撐橋部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，
所述提供一驅(qū)動(dòng)基板的步驟之前，還包括：
提供第二臨時(shí)襯底，使所述LED微結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二臨時(shí)襯底上；
所述將所述LED微結(jié)構(gòu)斷裂的步驟為：
所述LED微結(jié)構(gòu)斷裂，所述LED芯片脫離所述第二臨時(shí)襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述LED微結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二臨時(shí)襯底上的步驟具體為：
所述第二臨時(shí)襯底朝向所述LED微結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置第二貼合膠，使所述LED微結(jié)構(gòu)粘接在所述第二臨時(shí)襯底上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述提供第一襯底的步驟之后，還包括步驟：
提供第一臨時(shí)襯底，使所述LED微結(jié)構(gòu)的所述電極設(shè)置在所述第一臨時(shí)襯底上；
所述提供一驅(qū)動(dòng)基板的步驟之前，還包括步驟：
將所述第一臨時(shí)襯底剝離所述LED芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述LED微結(jié)構(gòu)的所述電極設(shè)置在所述第一臨時(shí)襯底上的步驟具體為：
所述第一臨時(shí)襯底朝向所述LED芯片電極的一側(cè)設(shè)置第一貼合膠，使所述LED芯片電極粘接在所述第一臨時(shí)襯底上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述LED芯片轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)動(dòng)基板的步驟中，所述LED芯片通過激光法轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)動(dòng)基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述LED芯片轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)動(dòng)基板的步驟中，所述LED芯片通過stamp法轉(zhuǎn)移至所述驅(qū)動(dòng)基板上。
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