[發(fā)明專利]一種斜腔芯片結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110226780.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN113161463B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 單靜春;李中坤;王定理;李明;湯寶;黃曉東;楊帆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/46
• 分類號(hào): H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 邵磊;張穎玲

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種斜腔芯片結(jié)構(gòu)，所述斜腔芯片結(jié)構(gòu)包括：光源和發(fā)光區(qū)；其中，所述光源，用于產(chǎn)生光信號(hào)；所述發(fā)光區(qū)的出射端面鍍有介質(zhì)膜，所述介質(zhì)膜對(duì)所述光信號(hào)中的第一子光信號(hào)的第一反射率與所述光信號(hào)中的第二子光信號(hào)的第二反射率不同，所述第一子光信號(hào)的出射功率與所述第二子光信號(hào)的出射功率之差小于第一閾值。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的斜腔芯片結(jié)構(gòu)能夠降低經(jīng)所述斜腔芯片結(jié)構(gòu)出射的光信號(hào)的偏振度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種斜腔芯片結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著光纖陀螺、光學(xué)層析成像系統(tǒng)、波分復(fù)用系統(tǒng)、光學(xué)相干層析成像等光纖通訊和醫(yī)療設(shè)備的迅速發(fā)展，超輻射發(fā)光二極管(Superluminescent?Light?Emitting?Diodes，SLD)因其寬光譜、高功率、低抖動(dòng)、弱時(shí)間相干性、高光纖耦合效率等優(yōu)良特性，在光纖通信領(lǐng)域展示出了廣闊的應(yīng)用前景。光纖陀螺零漂、噪聲是衡量陀螺性能好壞的重要指標(biāo)參數(shù)，與光源的偏振度(PER)有著直接關(guān)系；而PER由光源的TE模和TM模的光功率大小決定的。其中，TE模為電矢量震動(dòng)方向平行于芯片表面的光信號(hào)，TM模為電矢量震動(dòng)方向垂直于芯片表面的光信號(hào)。由理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證可知，光源出射光的偏振度PER越小，越有利于提高光纖陀螺零偏穩(wěn)定性，并且能抑制光源引起的偏振噪聲。因此，如何降低光源產(chǎn)生的光信號(hào)的偏振度是一致追求的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種用于斜腔芯片結(jié)構(gòu)，能夠降低經(jīng)所述斜腔芯片結(jié)構(gòu)出射的光信號(hào)的偏振度。

本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種斜腔芯片結(jié)構(gòu)，所述斜腔芯片結(jié)構(gòu)包括：光源和發(fā)光區(qū)；其中，

所述光源，用于產(chǎn)生光信號(hào)；

所述發(fā)光區(qū)的出射端面鍍有介質(zhì)膜，所述介質(zhì)膜對(duì)所述光信號(hào)中的第一子光信號(hào)的第一反射率與所述光信號(hào)中的第二子光信號(hào)的第二反射率不同，所述第一子光信號(hào)的出射功率與所述第二子光信號(hào)的出射功率之差小于第一閾值。

在一些可選實(shí)施例中，所述介質(zhì)膜包括至少兩種不同的源材料。

在一些可選實(shí)施例中，所述源材料的厚度基于下述中的至少一種因素確定：

所述光信號(hào)的中心波長(zhǎng)、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信號(hào)入射至所述介質(zhì)膜的入射角。

在一些可選實(shí)施例中，所述源材料的占比基于下述中的至少一種因素確定：

所述光信號(hào)的中心波長(zhǎng)、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信號(hào)入射至所述介質(zhì)膜的入射角。

在一些可選實(shí)施例中，所述第一反射率和所述第二反射率的大小關(guān)系，與入射至所述介質(zhì)膜之前的所述第一子光信號(hào)的第一功率和入射至所述介質(zhì)膜之前的所述第二子光信號(hào)的第二功率相關(guān)。

在一些可選實(shí)施例中，若所述第一功率大于所述第二功率，則所述第一反射率大于所述第二反射率；

若所述第一功率小于所述第二功率，則所述第一反射率小于所述第二反射率。

在一些可選實(shí)施例中，所述介質(zhì)膜對(duì)所述光信號(hào)的總反射率小于或等于第一值。

在一些可選實(shí)施例中，所述第一值為0.1％。

在一些可選實(shí)施例中，所述光源的光波導(dǎo)方向與所述發(fā)光區(qū)的出射端面的法線方向具有第一夾角。

在一些可選實(shí)施例中，所述第一夾角的范圍為3°至18°。