[發明專利]一種斜腔芯片結構

有效

• 申請號: 202110226780.1
• 申請日: 2021-03-01
• 公開（公告）號: CN113161463B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 單靜春;李中坤;王定理;李明;湯寶;黃曉東;楊帆
• 申請（專利權）人: 武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 邵磊;張穎玲

1.一種斜腔芯片結構，其特征在于，所述斜腔芯片結構包括：光源和發光區；其中，

所述光源，用于產生光信號；

所述發光區的出射端面鍍有介質膜，所述介質膜對所述光信號中的第一子光信號的第一反射率與所述光信號中的第二子光信號的第二反射率不同，所述第一子光信號的出射功率與所述第二子光信號的出射功率之差小于第一閾值；

其中，所述介質膜包括至少兩種不同的源材料；

其中，所述源材料的厚度基于下述中的至少一種因素確定；

所述光信號的中心波長、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信號入射至所述介質膜的入射角；

其中，所述源材料的占比基于下述中的至少一種因素確定：

所述光信號的中心波長、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信號入射至所述介質膜的入射角；

其中，由于介質膜的不同源材料的占比不同以及厚度不同，使得介質膜對TE模和TM模的反射率不同；通過介質膜對TE模和TM模的反射率不同，能夠調整TE模和TM模在發光區的出射端面的出射光功率。

2.根據權利要求1所述的斜腔芯片結構，其特征在于，所述第一反射率和所述第二反射率的大小關系，與入射至所述介質膜之前的所述第一子光信號的第一功率和入射至所述介質膜之前的所述第二子光信號的第二功率相關。

3.根據權利要求2所述的斜腔芯片結構，其特征在于，

若所述第一功率大于所述第二功率，則所述第一反射率大于所述第二反射率；

若所述第一功率小于所述第二功率，則所述第一反射率小于所述第二反射率。

4.根據權利要求1所述的斜腔芯片結構，其特征在于，所述介質膜對所述光信號的總反射率小于或等于第一值。

5.根據權利要求4所述的斜腔芯片結構，其特征在于，所述第一值為0.1％。

6.根據權利要求1所述的斜腔芯片結構，其特征在于，所述光源的光波導方向與所述發光區的出射端面的法線方向具有第一夾角。

7.根據權利要求6所述的斜腔芯片結構，其特征在于，所述第一夾角的范圍為3°至18°。